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在ADS中进行自底向上的SiP设计验证 EEsof EDA 目的 展示RF SiP技术及市场前景 展示RF SiP在ADS中的设计流程 展示自底向上SiP设计验证实例： 应用在雷达系统中的四倍频本振下倍频器 日程 什么是RF SiP? RF 设计注意事项及设计流程 什么是TOPS封装? 四倍频本振下变频器SiP SiP和雷达系统进行共仿真 总结 SiP 市场 世界上50%的封装IC在使用SiP，到2007年，其中的80％将集成无源器件 (Gartner) 在2004, 共组装了18.9亿个SiP。到2008年，这一数目预计将达到32.5亿个。其增长速度是每年12％。 (iNEMI) RF SiP技术总览 集成多种芯片以及内嵌无源器件 允许在一个封装中使用多种工艺，每一种工艺都有其最佳适用领域。 SiP和SoC相比，优势为：更灵活的集成方式，更短的研发时间，更快的投入市场，更低的研发成本、更低的生产成本。 RF SiP中使用的技术: IC’s – Silicon CMOS/BiCMOS, GaAs, InP 基片 – Laminate, LTCC, Flex, Micro Leadframe 信号互联 – Wirebond, Flip Chip 无源器件 – SMD, Integrated (MCM-D), Embedded (MCM-C MCM-L) RF SiP 哲学每一个模块使用的工艺不求最贵，但求最好！ RF SiP 市场的走势如何? 半导体厂商的竞争力各有侧重: 成本、体积、工作性能、功能 但他们都朝着高集成度的方向发展：片上（SoC）或封装内（SiP） RF SiP 的发展方向 典型RF SiP设计难点 RF SiP设计流程总览 ADS Driven Design Flow  – RF Module, Small Scale SiP ADS Linked Design Flow  – Medium Scale SiP Multiple Environment Design Flow  – Large Scale SiP 3. 何为 TOPS 封装? TOPS 封装的动力及特点 动力 SMT是低成本的装配技术 使用SMT的价格，让微电路工作至 50 GHz 或 40Gb/s 即使是高功率器件，也能极佳的散热 用快速同轴电子校准来替代缓慢复杂的探针校准 低价、高容量的封装/测试工艺 (10mm ×10mm面积内排列44个部件) 特点 外形小巧 10mm X 10mm 盖板：非密封，空气穴 基片: 金属背板Rogers 4350 TOPS 封装的结构 TOPS 封装的测试性能 (PCB – Package – BondWire – ThinFilm Load) 事实证明，在50GHz时，TOPS封装都有良好的工作特性 4. 四倍频本振下变频器 SiP SiP下变频器的特性 基于SiP的变频系统 通过使用现有的MMIC及薄膜工艺来快速搭建系统 7 个MMIC (AMP, Multiplier, Mixer) 3 个薄膜电路 5 个薄膜连接器 四倍频LO 频率特性 22-24GHz RF 输入 1950MHz 固定中频输出 系统框图 系统行为级模型参数 利用DAC来调用测试数据以增强仿真真实性 DAC是ADS中的通用文件读取器 读取测试数据、器件模型参数 支持两种格式 MDIF (Measurement Data Interchange Format) based Simple form, Discrete based DAC调用测试S参数实例 改进频率特性模型 快速简单设定 DAC 调用扫描模型文件实例 扫描五个不同P-HEMT 晶体管的模型文件 提供简单快速的初步统计学分析 在SiP四倍频下变频器中使用的五个MMIC 使用器件级design kit模型来表征的MMIC TC906 20~40GHz MMIC amplifier TC743 40GHz MMIC double balanced mixer TC745 10~26.5GHz MMIC frequency doubler 使用系统模型来表征的MMIC TC905 6~20GHz MMIC medium power amplifier TC904 23GHz (21.2~26.5GHz) MMIC LNA 20~40GHz MMIC 放大器 宽带(20-40GHz) MMIC 放大器 4级放大器，带有输出匹配以保证功率最大传输 20~40GHz MMIC 放大器电路级模型和行为级模型比较 20~40GHz特性较为接近 使用系统级行为模型来仿真SiP四倍频本振下变频器 使用Agilent EEsof’s 多种EM工具来