NMOS器件不同剂量率γ射线辐射响应的理论预估.PDFVIP

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2018-12-13 发布于天津
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NMOS器件不同剂量率γ射线辐射响应的理论预估.PDF

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52 12003 1 　　　 ol.52, No.1, January, 2003 1000-3290 2003 52(01) 0188-04 ACTA PHYSICA SINICA c2003 Chin.Phys.Soc. NMOS γ 何宝平　王桂珍　周　辉　龚建成　罗尹虹　姜景和 (, 69 　710613) (2002 4 11;2002 5 12 ) 　　CC4007-NMOS 0.1, 2.3, 44 91rad(Si) s , .CC4007-NMOS 25℃, , , , . CC4007-NMOS . :, , , PACC:6180E, 6170A cm.3μm , 1.引言 , 1000 ℃, tox =70nm, W L =25. MOS 60 Coγ 60 Coγ, 2—2500rad(Si) s, , γ:0.1rad(Si) s, [1—3] , MOS 2.3rad(Si) s, 44rad(Si) s, 91rad(Si) s, 、、、. , 44rad(Si) s γ 5 , 1×10 rad(Si), , 25℃ 175h.γ , CaF ∶Mn . 2 , , , :VGS=VDD=+5 , VSS =0 . , , 、HP4156A 、 , . HP3488A 、 , , 0.5h . , 3.线性响应理论 . () 2.样品和辐射实验 , , . , , CC4007- CMOS . [4—7] .N(100), 1—2Ψ· :MOS 1 :NMOS γ 189 : -A ln(t t0 )+C 4.实验果及理论预估 -ΔV0 (t