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HEMT太赫兹探测器响应度和NEP的检测与分析.PDF
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Detection and analysis of the Responsivity and
NEP for HEMT Terahertz Detector
Article · February 2013
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Xinxin Yang
Chalmers University of Technology
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器件与技术
与
纳米器件 技术
Devices and Technology
Nanoelectronic Device Technology
HEMT太赫兹探测器响应度和NEP的检测与分析
, ,
杨昕昕 孙建东 秦 华
( , )
中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室 江苏 苏州 215123
: , / ( )
摘要 在0.8 1.1THz内 对AlGaN GaN 高电子迁移率晶体管 HEMT 太赫兹探测器的响应
~
。 ,
度和噪声等效功率进行了具体测试和分析 在太赫兹波辐射下 HEMT太赫兹探测器源漏端产生
。 /
能被栅压灵敏调控的直流光电流 该型探测器在300K和77K 下的电流响应度分别为83mA W 和
/ ,电压响应度分别为 / 和 / ,噪声等效功率分别达到 / 0.5 和
4.1A W 4kV W 50kV W 22 W Hz
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