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标题：DEEP NWELL的作用 1楼 michael 发表于：2010-4-15 15:09:00 ? 作者：zrbbobo?uplayout “版图中有时用到DNW层即deep?n-well?,有隔离保护的作用，但具体是什么效果，原理是什么呢？” 根据uplayout的理解，这个“深阱”应该应该是非标准CMOS中用到的，用来做npn管的集电极。如果只有一个nwell，bjt管只能用nwell作基极做出pnp管来，没有办法做npn管。网上搜到一个问答： “问：在n_well?cmos中，如何layout?npn?和pnp?的BJT? 答：如果有deep?nwell?做isolation的话，npn是可以做的。如果没有，就仅仅能做pnp了，当然要看你用的pocess是不是p-sub?或者是n-sub，现在普通流行的process是p-sub?process,但有比较老的process是n-sub。如果是p-sub，没有deep?n-well,只能做pnp，不能做npn，p-sub，有deep?n-well，pnp?and?npn?都可以做。如果是n-sub，可以做npn,能否做pnp，一样需要看是否有isolation?well。” 这是一种理解，对同样这个问题，本站网友zrbbobo根据自己的项目状况有另外一种更详细的理解： “我们用的是标准的SMIC0.18的CMOS工艺，我在看差分放大器的版图的时候看到DNW层，不太了解它的作用。我在网上有人对这个问题的解释是：DNW:?Deep?N-WELL?就是在NWELL之下还有一层N-的注入。有点象BJT里面的埋层。目的是用DNW来隔离DNW里面的PW和p-衬底，使衬底藕合噪声更小。一般在对噪声比较敏感的芯片（比如RF芯片）上会用到。逻辑芯片一般都不会有的。对于一个对衬底?r!噪声很敏感的电路，那么其周围可能产生噪声的部分自然都需要隔离起来最好。?PMOS也是一样。NWELL是可以隔离，那么下面再有一个DNW也没啥不好的。而且，如果PMOS放到DNW外面，设计规则上还有很多麻烦，因为)DNW是需要用NW环绕的。” uplayout没有用过SMIC0.18的CMOS工艺，但认为这个说法很有道理。大家对这个问题还有没有更多的看法呢？欢迎讨论。 Deep Nwell版图画法?? 2009-06-01 16:29:36|??分类： IC版图类 |??标签： |字号大中小?订阅 ?????在“几种衬底及隔离的介绍”中已经介绍了triple-well(以下简称TW)与deep-nwell (以下简称DNW)　是存在区别的。本篇则详细介绍 deep-nwell 在版图的具体画法。但无论哪种画法最终形成的deep-nwell是一致的，剖面图如下图所示： 以下简称nwell为NW，pwell为PW，被nwell/deep-nwell包围的pwell为(isolated Pwell)IPW,substrate为Sub. 一、第一种画法(DNW层画在NW层中) ? 二、第二种画法(NW层以path的形式包裏DNW层的边缘) ? ? 三、不同电位NW ? 无论是哪种画法，不同电位的NW必须分开。值得注意的是DNW也是N型的，所以不同电位的NW不可以通过DNW相连。 四、不同电位Sub ? 不同电位Sub画法可以与不同电位NW画法一样（各自独立），当然因为NW电位相同时，一般会将其合并以节省面积，所以图中画在一起的NW电位是相同的。上图右为第二种画法，DNW层可以合并在一起，中间仅以NW相隔即可。 五、MOSCAP MOSCAP通常可以理解为NMOS制作在NW中，此时NMOS下极板与NW相连，因此电位相同，而且通常接GND，　所以这样的NW也必须与其他NW单独开。 六、RF　MOS管 无论PMOS还是NMOS都会在底部加上DNW以减小Noise造成的影响。 七、其他 还有需要注意的是，有些特殊器件是直接制作在Sub上，对于这些器件是不能，也不可以用DNW将其隔离开的。