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TFT工艺简介 液晶显示器结构 TFT五层膜结构 Sputter工程 PVD机台介绍 PVD机台 ①Gate层膜结构为Ti/Al/Ti，S/D层膜结构为Al/Ti，所以此两层的 PVD机台内所放靶材相同，均为Al和Ti靶材，且此两层膜结构成膜温度 相同，都为120°C，因此1层与3层机台互相切换只需要切换机台Recipe 即可，异常状况下可即时切换互相Support 。ITO层机台因靶材不同，不 可与前两层机台互相Support 。 ②PVD机台为真空机台，若有制程中有玻璃在Process Chamber中破 片，且影响到成膜质量时需开腔处理，封闭Chamber后需重新抽真空， 至少需5h时间， ③PVD机台每次开腔后复机都需要做复机Pre处理，即打掉靶材表面氧化 物及其它杂物，以保证成膜质量，每次做10片玻璃Pre，玻璃为Dummy 玻璃，（此玻璃可重复使用三次，三次后有破片风险不可再用，每次Pre 之后需到湿刻机台洗掉膜层，防止下次Pre时膜层堆积过厚导致玻璃破 片。） ④靶材约10天左右开腔更换，同时更换防护板清，换下防护板清洗后可 重复使用。 CVD工程 CVD机台 Photo工程 PHOTO流程 Photo System Photo Process ① 曝光机内部普光灯有3个，通过Lens镜片的多次反射处理形成平行光 照射Mask，普光灯每1000h需更换一次，若未及时更换，有爆灯危 险，造成Down，且清理碎片工作较为费时。 ② 每台Photo机台内可放入5个Mask，机台内部Mask可自动切换。夏普 没个型号产品有两套Mask（具体Mask数量依据公司某一型号需求产能 为准）。即，在2套Mask的情况下，每个型号产品的最大产能为两台 Photo机台生产能力。 ③ 更换光罩后依照情况需Try首批，依据为更换上的Mask所对应产品上 次生产此型号产品距目前的时间，短时间内生产过可直接生产，若时间 过长，需Try首批，等首批检测结构OK后方可正常生产，具体时间间距 依据机台制程能力由技术人员、品质人员判定。因此，在生产过程中如 需要调换Mask，在条件允许情况下，需尽量找近期生产过此型号产品的 Photo机台生产，达到节省更换时间以及保证机台生产稳定性的目的。 ④ 实际生产中Photo机台Mask会经常调换，以保证需优先出货产品优先 生产，但由于受到2套Mask数量限制，单一型号最大产能仍为2台Photo 机台的生产能力。 JAS膜 JAS为有机膜，此膜层可透光，是在Photo机台的Coat单元 涂布。 有JAS的情况下不涂布光刻胶，JAS具有与光刻胶相同的特 性，被光照到的部分会改变性质，在后续的显影单元被显影 液清洗掉。但JAS膜在蚀刻后不被剥离，而是研磨修正后直 接成膜ITO层，JAS膜可增加保护层与ITO层之间的间距，从 而达到增加Pixel开口率的效果。 蚀刻（干刻/湿刻） 刻蚀目的 1. 湿刻的目的 湿刻是通过对象材料（一般为金属导电膜）与刻蚀液之间的化学反应，对对象材料进行刻蚀的过程。 Sharp60K生产线上，是指对Gate层（Ti/Al）及像素层（ITO）进行刻蚀。 DET机台结构 Dry Etcher transfer system 干刻 干刻：即将特定气体置于低压状态下施以电压，将其激发为电浆，对特性膜层加以化学性蚀刻或离子轰击，达到去除膜层的一种蚀刻方式。 干刻 ① 干刻Process Chamber内原理与CVD基本相同，都是由 制程气体形成电浆，然后作用于产品以达到制程目的。 但干刻机台制程气体在反应过程中不会产生沉积物质，所以 不需要像CVD机台那样每完成几片产品就需清洁Process Chamber内壁。 ② 干刻机台每个传送+P/C单元都是相互独立，Down掉其中 一个，另一个可独立工作。 湿刻基本原理 WET Etching 设备 湿刻装置示意图 湿刻机台结构简图 浓度管理 工艺要求 形状控制（优先级高） Gate层位于整个TFT基板Pattern的最下层，刻蚀形状的好坏对以后各层膜的生长及Pattern的形成都有很大影响，因此Gate层形状控制是首要的，要求形成顺Taper形。一旦出现逆Taper，使后面成膜时在Taper处容易发生断裂，其中最可能发生的是D断线 光刻胶剥离、洗净工程 剥离目的 刻蚀（干刻、湿刻）完成后除去光刻胶的过程。 洗净基本单元 检查工程 光刻胶修正 检测工程 PH机台IN-line检查： ①AP----自动Patten检查：检查光刻胶显影后是否有图形缺陷（全检） ②AM----自动宏观检查：检查光刻胶显影后是否有Mura（全检） ③AR----自动线幅测定：检查光刻胶显影后线