激光剥离_GaN_基垂直结构_LED_的制备.pdfVIP

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2017-12-17 发布于河北
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激光剥离_GaN_基垂直结构_LED_的制备.pdf

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激光剥离_GaN_基垂直结构_LED_的制备

激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基LED vertical structure by Laser lift off and mescoscopic photonics GaN-based LED 张国义陈志忠，康香宁，章蓓，于彤军，秦志新，杨志坚，徐科，胡晓东，沈波，甘子钊包魁，胡成余，张振生北京大学物理学院，北京100871 北京大学宽禁带半导体研究中心人工微结构和结构物理国家重点实验室 2006.7.13 深圳 Outline n Laser lift off and vertical LED n Micro structure and photonic crystal in LED n Spintronics and Polarized light LED n Summary 一、Laser lif off and vertical LED Laser lift off n LLO can separate GaN from Al O to transfer 2 3 the GaN film on other substrates, such as Si, GaAs, Cu and others 。 n used in LED for vertical structure n Used in laser diode for cleavage cavity. n Used in UV-detector for back incidence light structure Laser lift-off process Receptor Wafer epoxy Free-standing membrane Structure layers buffer layer sapphire a KrF excimer laser (248nm, 25ns) LLO-LED progressing n Substrate lift off，f