NOR FLASH读写实验NOR FLASH读写实验.pdfVIP

FPGA 读写Nor flash 实验 文档编号 作者 Jiaqiqiu 版本 1.0 审阅 1 / 10 版本信息记录 版本号 作者 版本信息 更新原因 历史版本 审阅 发布日期 1.0 jiaqiqiu NOR FLASH 读写实验 2012.09.08 2 / 10 目录 1. Nor flash 4 1.1 Nor flash 简介 4 1.2 Nor flash 具体操作4 2. 具体电路图 7 3. 代码 7 4. 上电调试 9 5 总结 10 3 / 10 1. Nor flash 1.1 Nor flash 简介 Nor flash 和Nand flash 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术，闪存是非易失存储器，可以 对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元 内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。 Nor flash 的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place) ，这样应用程序可以直接在flash 闪存内运 行，不必再把代码读到系统RAM 中。NOR 的传输效率很高，在 1～4MB 的小容量时具有很高的 成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 本次实验采用的Nor flash 是Am29LV160B ，存储容量2M，支持8/16bit 两种模式，实验选取 的是16bit 模式，主要参数有： 擦除整个芯片时间：典型值25s 擦除一个sector ：典型值0.7s ，最大15s 写入一个word(16bit):典型值 11us，最大360us 1.2 Nor flash 具体操作 首先给出Am29LV160B 的读、擦除时序（见数据手册）： 4 / 10 其实Nor flash 读、写时序都是标准的读写时序，该芯片执行命令是通过写入相应的命 令序列实现的，比如要擦除整个芯片，则需写入如下序列 CMD_ADDR0 = 0xAA; CMD_ADDR1 = 0x55; CMD_ADDR0 = 0x80; CMD_ADDR0 = 0xAA; CMD_ADDR1 = 0x55; CMD_ADDR0 = 0x10; CMD_ADDR0、CMD_ADDR1 为地址0x555 和0x222 对应的寄存器，上述命令即往地址0x555 写入0xAA，然后往地址0x222 写入0x55，…，当执行完第6 次写入，则芯片擦除命令被芯 片接收，芯片开始内部擦除操作，这时需要耐心等待芯片擦除结束（大约25s），可以通 过硬件或软件的方式来查询芯片的状态（是否处于busy 状态），硬件的方式是通过芯片 RY/BY 管脚的电平来判断，其中一种软件判断方法是这样的，读任意地址得到的数据的D6 位在busy 期间是翻转的，即两次相邻读得到的数据的D6 位相反，D5 位则是超时标志位。 下面给出C 语言判断操作结束的函数 （在FPGA 中采用的就是这种方式 （D6+D5 判断）） int waitfor_endof_ope (void)//超时返回