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第5章_低频功率放大器

第5章低频功率放大器 5.2 互补推挽功率放大器 5.3 功率放大器的保护电路 5.4 其他形式的功放电路 图 5- 16 LM386集成功率放大器  (a) 内部结构图; (b) 管脚排列 LM386的管脚排列如图5 - 16(b)所示, 为双列直插塑料封装。管脚功能为: 2、 3脚分别为反相、 同相输入端; 5脚为输出端; 6脚为正电源端; 4脚接地; 7脚为旁路端, 可外接旁路电容以抑制纹波; 1、 8脚为电压增益设定端。 当1、8脚开路时, 负反馈最深, 电压放大倍数最小, 此时Auf=20。当1、8脚间接入10 μF电容时, 内部1.35 kΩ电阻被旁路, 负反馈最弱, 电压放大倍数最大, 此时Auf=200(46 dB)。 当1、8脚间接入电阻R和10 μF电容串联支路时, 调整R可使电压放大倍数Auf在20~200间连续可调, 且R越大, 放大倍数越小。  LM386的典型应用电路如图5 - 17所示。  图 5 – 17 LM386典型应用电路图 5.3.1 功放管的管耗与散热 5.3.2 保护电路 5.3 功率放大器的保护电路 5.3.1 功放管的管耗与散热 功放管的管耗是通过热传导的形式以散热的方式消耗掉的。 所谓热传导,是指热能从高温点向低温点传送的现象。为衡量媒质导热能力的强弱, 引入热阻的概念。 一般地, 若A、B两点的温度分别为TA、TB, 其间导热材料的热阻为RT, 则A、B两点间传送的热功率P与TA、TB、RT之间, 有如下关系: 式中, P为热功率, 单位为W; RT为热阻, 单位为°C/W。  具体到功放电路中, 当功放管在环境温度Ta下工作时, 由于集电极消耗的功率(即管耗PC)转换为热能, 使结温升高为Tj(TjTa)。显然, PC=P= TjTjmax 可见, 当Ta、RT一定时, 功放管的最高结温Tjmax对应着集电极最大允许功耗PCM, 式中,Tjmax取决于管子的半导体材料。锗管的Tjmax约为75~100 ℃; 硅管约为(175~200)℃。  由式(5 - 24)可知, 环境温度越高, 其允许最大的集电极功耗越小。手册上给出的PCM是在环境温度为25 ℃条件下得到的。 在设计功放电路时, 为了安全工作起见, 常取最高环境温度下的集电极最大允许功耗PCM(Tamax)的90%作为功耗的极限值, 即应使集电极功耗PC满足  PC≤0.9PCM(Tamax) (5 - 25) 对于大功率晶体管一般需要加散热板以改善散热条件, 减小热阻, 从而提高PCM。  5.3.2 保护电路 从前面的讨论中可以看出, 管耗PC过大将导致功放管损坏, 限制管耗即可有效地保护功放管。限制管耗的常用方法是限制流过功效管集电极的电流(即输出电流Io)。基于这一思路, 功放保护电路的常见形式如图5 - 8所示。  图5 - 8(a)所示电路中采用二极管输出限流保护电路。 VD3、VD4是附加的限流二极管。正常情况下, VD3、VD4不起作用。 图 5 – 8 输出级保护电路 (a) 二极管保护; (b) 三极管保护 如果正向电流过大, 则RE2上的压降增大, 使VD3正向偏置,由截止变为导通, 从而分去V2的一部分基极电流, 使输出电流减小。 最大输出电流约为 Iomax≈ 如果设 UD3≈0.6 V, RE2=10Ω, 则Iomax≈60 mA。由于UD3≈0.6 V,具有负的温度系数, 因此当环境温度升高时, 二极管的正向电压降低, 从而使输出电流的最大值也相应减小, 这也有利于控制功放管的结温不致于升高。如果负向电流过大, 则VD4导通, 其保护原理不再赘述。 5.4.1 单电源供电的互补推挽电路 5.4.2 准互补推挽功率放大器 5.4.3 桥式平衡功率放大器 5.4.4 场效应管功率放大器 5.4.5 具有输出自举作用的功放电路 5.4.6 集成功放电路 5.4 其它形式的功放电路

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