计算机硬件技术基础电子课件教案-第五章 内部存储器.pptVIP

第五章 内部存储器 5.1 存储系统概述 存储系统是计算机的重要组成部分,用来存储计算机工作需要的信息（程序和数据）的部件，构成计算机的信息记忆功能。存储器可分为两大类：内部存储器和外部存储器 5.2 内部存储器的作用及其分类 5.2.3 内存的主要技术指标 存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。以字节(B:Byte)为单位。 1KB = 210 = 1024B 1MB = 220 = 1024KB = 1,048,576B 1GB = 230 = 1024MB = 1,048,576KB = 1,073,741,824B 速度：读取时间=存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR(Memory Data Register)的输出端为止的时间，一般单位为ns(10-9秒)。 DRAM芯片：一般为几十ns。目前由DRAM芯片构成的内存条(模块)：突发传送模式下读写速度可以达到2ns。如DDR400的极限速度为2.5ns。 SRAM芯片：几个~十几ns。 带宽：(存储器位数/8)X读取速度峰值，单位为MB/s。 5.3 只读存储器——ROM 只读存储器ROM一旦有了信息，就不能轻易改变，也不会在掉电时丢失。除只读特性外，ROM器件有3个显著的特点： 结构简单，所以位密度高。 具有非易失性，所以可靠性高。 读速度慢。 ROM可以分为5种： 掩膜ROM 这种ROM是由制造厂家利用一种掩膜技术写入程序的，掩膜ROM制成后，不能修改。 根据制造工艺可分为MOS型和TTL型两种。MOS型ROM功耗小、速度慢，适用于一般微机系统；而TTL型则速度快、功耗大，适用于速度较高的计算机系统。 5.3 只读存储器——ROM 2. PROM——可编程ROM PROM虽然可由用户编程，但只能有一次写入的机会，一旦编程(写入)之后，就如掩模式ROM一样。 PROM存储器使用熔断丝，熔断丝原始状态导通(1)，将熔断丝烧断编程为0。 3. EPROM——可擦除可编程ROM EPROM通过紫外线照射可以将信息全部擦除(全部为1)。EPROM可重复编程。适合于系统开发研制时使用。 EPROM虽然具有可反复编程的优点，但需要专用的紫外线擦除器，且只能整体擦除。 4. EEPROM——电可擦除可编程ROM 可通过电信号全部或部分擦除，能完成在线编程。通过程序方式可实现读写，但其读写速度比RAM慢的多。 5.4 内存的工作模式及主流技术 目前常见的存储器——SDRAM 目前常见的存储器——Rambus DRAM(RDRAM) 主要有PC600、PC800、PC1066、PC1200几种。 计算机硬件技术基础 * 5.1 存储系统概述 5.2 内部存储器的作用及其分类 5.3 半导体存储器的组成 5.4 内存的工作模式及主流技术 计算机硬件技术基础 内部存储器↑ 外部存储器↓ 微机存储系统的层次结构 内存储器均为半导体存储器，外存储器有磁性存储器、光存储器和半导体存储器三种。 5.2.1 内存的主要作用 内存的作用： 运行程序； 暂存常用的程序、数据； 与外存储器、外设交换数据的缓冲存储。 中央 处理器 数据传输速度慢 数据传输速度快 内存储器 通过总线 通过接口 外存 储器 半 导 体 存 储 器 随机存储器 (RAM: Random Access Memory) 只读存储器 (ROM: Read Only Memory) 闪烁存储器(Flash Memory) 动态存储器(DRAM) 静态存储器(SRAM) 可擦除可编程只读存储器(EPROM) 电可擦除可编程只读存储器(EEPROM) 可编程只读存储器(PROM) DRAM: Dynamic RAM SRAM: Static RAM PROM: Programmable ROM EPROM: Erasable PROM EEPROM: Electrically EPROM 5.2.2 内存的分类 错误校验：内存在读写过程中检测和纠正错误的能力，常用的错误校验方式有Parity、ECC和SPD 奇偶校验(Parity)：每个字节增加一位，共9位，增加的一位由于奇校验或偶校验。只有检错能力。 ECC(Error Checking and Correcting)，一般每64位增加8位。由于差错控制。ECC的功能不但使内存具有数据检错能力，而且具备了数据纠错功能。 SPD(Serial Presence Detect串行存在探测)：用1个小容量EEPROM芯片，记录内存的速度、容量、电压与行、列地址带