等离子体增强反应蒸发沉积地氟掺杂氧化铟薄膜地性质!.PDFVIP

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等离子体增强反应蒸发沉积地氟掺杂氧化铟薄膜地性质!

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 # 0 !$$! 0 , , , QFR 4# PF 4 0 JD=1@ !$$! ( ) $$$K0!H$*!$$!*# $0 *$%%-K$% G’9G LO68’G 68P8’G !$$! ’@A7 4 L@SC 4 6F1 4 等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟 薄膜的性质! 程珊华 宁兆元 黄 峰 (苏州大学物理系,苏州 !#$$% ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) !$$ # !$ !$$ $ 采用直流辉光’( * + 等离子体增强反应蒸发方法沉积了氟掺杂氧化铟透明导电薄膜,经过真空退火处理薄 ) ! 膜的电阻率达到 / 0 · ,透光率高于 研究了掺氟量和退火温度对薄膜电阻率和透光率的影响,结果 ,- . $ ! 12 -$ 3 4 表明:氟的掺入增加了载流子浓度,使得薄膜的电阻率明显下降,而薄膜的透光率变差,但是可以通过真空退火处 理使其得到显著的改善,掺氟量越大需要的退火温度越高4 5 射线衍射分析说明,氟的掺入使薄膜的无序度增加; 退火处理提高了薄膜的结晶状况,改善了薄膜的透光性能,同时也没有增加薄膜的电阻率4 关键词:透明导电薄膜,氟掺杂,等离子体增强反应蒸发沉积 : , , !## 0% %-## #!# 温度下制备了方块电阻低于)$ 、透光率高于H$ 3 ! [] 引 言 的优良 掺杂 薄膜 本文使用 混合 67 87 + 4 ’( * + ! 0 ) ! 气体直流辉光放电增强反应蒸发方法制备了氟掺杂 太阳能电池、液晶显示器等都需要使用透明导 87 + 薄膜,研究了掺氟量、真空后处理工艺对薄膜 ! 0 电薄膜作电极 掺杂的 ( )薄膜是一种

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