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三代树状碳硅烷液晶研究-上海有机化学研究所

2003 年第 61 卷 化 学 学 报 Vol. 61 , 2003 第 4 期 , 619~624 ACTA CHIMICA SINICA No. 4 , 619 ~624 三代树状碳硅烷液晶研究 端基含丁氧基偶氮苯介晶基元 , a a b c c c 张其震   殷晓颖   王大庆   李 光   季怡萍   赵晓光 ( a 山东大学化学化工学院  济南 250100) ( b 山东师范大学测试中心  济南 250014) ( c 中国科学院长春应用化学研究所  长春 130022) ( ) ( ) 摘要  用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元 M5 端基新的三代树状碳硅烷 D3 液晶 ,并用元素分析、核磁共振、激 ( ) ( ) ( ) 光解吸电离飞行时间质谱 MALDITOFMS 、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 DSC 和广角 X 射线衍射 WAXD 表征 , D3 为向列相与 M5 相同 ,树状物相态由介晶基元相态决定 ,D3 相行为 : K79N126I116N , D3 熔点比 M5 降低 33 ℃, D3 清亮 点比 M5 增加 2 ℃, D3 液晶态温区比 M5 加宽 35 ℃. 关键词  向列相液晶 ,三代树状化合物 ,4丁氧基偶氮苯碳硅烷 Study on a Carbosilane Liquid Crystalline Dendrimer of the Third Generation Containing 4Butoxyazobenzene Mesogenic Groups in Its Periphery ZHANG, QiZhen , a   YIN , XiaoYing a   WANG, DaQingb   LI , Guangc J I , YiPingc   ZHAO , XiaoGuangc ( a ) School of Chemistry and Chemical Engineering , Shandong University , Jinan 250100 ( b Ana

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