元器件的非理想行为(一).pptVIP

3. 元器件的非理想行为 杨帆 yangfancqu@ 元器件的非理想行为 3.1导线 3.2元件引线的影响 3.3电阻 3.4电容 3.5电感 3.1 导线 导线的直流阻抗: 导线的交流阻抗 透入深度: AC conductor carrying a high frequency current utilizes only a very small fraction of the metal of that conductor. 铜的透入深度 f δ f δ 50Hz 9.3mm 1MHz 2.6mils 1kHZ 2.09 mm 10MHz 0.82 mils 10kHZ 0.66 mm 100MHz 0.26 mils 100kHZ 0.21 mm 1GHz 0.0823 mils 3.1.1 阻抗 导线的交流阻抗 低频时导线的单位长度阻抗: 导线的单位长度交流阻抗: 导线的阻抗 单位长度导线电阻随频率变化关系 1.高频阻抗随频率增加的速度为10 dB/10倍倍程. 2. 两条渐近线的交点 导线的内自感 内自感: 导体与自身交联的磁通 低频时单位长度自感 单位长度交流自感 导线的内自感 单位长度导线电感随频率变化关系 1. HF inductance decreases at a rate of 10 dB/decade. 2.两条渐近线的交点 3.1.2 平行导线的外自感与电容 外自感： 单位长度自感 单位长度电容 平行导线的集中电路参数模型 电大尺寸: 分布参数模型 电小尺寸: 集中参数模型 (a) 反向Γ (b) 集中π型 适合分析高阻抗负载 平行导线的集中电路参数模型 (c) 集中T (d) 集中Γ 适合分析低阻抗负载 3.2 元器件引线的影响 元件引线对磁场的影响 元件引线的电场影响 3.2元器件引线的影响 元件引线的等效电路 如何减小元器件引线的影响？ SMT:表面贴装技术 3.3 电阻 1. Carbon composition, 碳质复合电阻 类型 2. Wire wound, 线绕电阻 3. Film, 膜型电阻 3.3.1 考虑引线影响的电阻模型 Lumped backward Γmodel of leads Leakage capacitance 寄生电容 总的等效阻抗 3.3.1考虑引线影响的电阻模型 幅值随频率的变化关系 相位随频率的变化关系 谐振点 3.3.4考虑引线影响的电阻非理想模型 * *