稀磁半导体crxmnxte的第一性原理计算-吉林大学学报.pdfVIP

( ) 第 卷 第 期 吉 林 大 学 学 报 理 学 版 53 4 Vol.53 No.4 年 月 ( ) 2015 7 JournalofJilinUniversit ScienceEdition Jul 2015 y y : / doi10.13413 .cnki.dxblxb.2015.04.31 j j 稀磁半导体CrMn Te的第一性原理计算 x 1-x 1 2 3 , , 徐 强 杨光敏 邢光宗 ( , ; , ; 1.长春工程学院 勘查与测绘工程学院 长春 130022 2.长春师范大学 物理学院 长春 130032 , ) 3.吉林大学 材料科学与工程学院 长春 130012 : , 、 摘要 根据 和 各种结构的稳定性 选取具有 结构 岩盐结构和闪锌矿结构 CrTe MnTe NiAs , 的 为基本骨架 以 原子替换 原子形成掺杂的稀磁半导体 使用基 CrTe Mn Cr CrMn Te. x 1-x , 、 , 于密度泛函理论的 软件包 计算其形成能 态密度和磁矩 并比较不同 值对性能的 VASP x , ; 影响 结果表明 掺杂后 种结构的稳定性为 结构 岩盐结构 闪锌矿结构 原子 . 3 NiAs Mn , , ; 掺杂NiAs结构后 NiAs结构发生向闪锌矿结构的相变 对闪锌矿结构掺杂未发生相变