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声光调QNd÷YAG激光对硅划片的研究
÷ Q Nd YAG ÷ Q Nd YAG Study on Laser Scribing of Silicon - ÷ Wafer with a Q switched Nd YAG Laser ( , ) ( , ) Qi JunWang unlinLiang Mianchang (Department of Mechanical Engineering, T singhua University, Beijing) Zhu Yunming (School of T echnology, Macau University, Macau) [ ] Q Nd÷YAG , , [ Abstract] Laser scribing of silicon wafer with a Q-switched Nd÷YAG laser was studied and the relationship between process parameters and groove depth and width has been obtained. T he interaction process of laser beam and material was also analyzed theoretically and equation of laser energy density threshold induced material damage was deduced. Keywords laser scribingsilicon waferenergy density threshold , , , , : , , , ( F ) ( $ E ) [ 1] ( V ) , , , , , CSM 950 T alysurf 5-120 [2, 3] , , [ 4] 0 . 25mm , 2 1 2. 1 , : 50mm 1 10 1 , - ÷ mm mm JD II Q Nd YAG 3 2 ( = 11410 / , = 20 / ) 1 $ E J m V mm s , 0 . 75m
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