基于外腔反馈二极管线阵列的smile效应测量方法-发光学报.PDFVIP

第３８卷　 第１０期 发　 光　 学　 报 Ｖｏｌ３８ Ｎｏ１０ ２０１７年１０月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｏｃｔ. ꎬ２０１７ 文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)１０￣１３０２￣０５ 基于外腔反馈二极管线阵列的ｓｍｉｌｅ效应测量方法 ∗ 李　 景ꎬ曹银花 ꎬ刘友强ꎬ许商瑞ꎬ秦文斌ꎬ 邱运涛ꎬ姚　 磊ꎬ 曾小迪ꎬ王智勇 (北京工业大学 激光工程研究院ꎬ北京　 １００１２４) 摘要:采用外建激光谐振腔ꎬ在低于原芯片阈值的电流激励下对 ＬＤＡ 的每个发光点进行单独测量ꎬ从而分 析整个半导体激光阵列(ＬＤＡ)的ｓｍｉｌｅ效应ꎮ 实验中利用镀膜反射率大于半导体前腔面的外腔镜形成外腔 半导体激光器ꎮ 在外腔中插入曲面平行于ｐ￣ｎ结的柱面镜ꎬ使只在光轴上的发光点与外腔镜形成外腔激光 器ꎬ降低该发光点的激光阈值ꎬ从而使其在正常的阈值以下的电流激励下输出激光ꎬ在平行于ｐ￣ｎ结的方向移 动柱面镜ꎬ可以逐个对半导体激光器中的发光点进行选择测量ꎬ从而获得 ＬＤＡ ｓｍｉｌｅ效应的测量值ꎮ 测量中 的低电流激励产生的热量对芯片寿命没有影响ꎬ对ＬＤＡ 的发光点的单个测量也避免了其他发光点对ＣＣＤ 的 影响ꎮ 关　 键　 词:半导体激光器ꎻ外腔反馈ꎻｓｍｉｌｅ效应 中图分类号:ＴＮ３１　 　 　 文献标识码:Ａ　 　 　 ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ１３０２ Ｓｍｉｌｅ Ｅｆｆｅｃｔ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｏｆ Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ Ｌｉｎｅ Ａｒｒａｙｓ Ｂａｓｅｄ ｏｎ Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｃａｖｉｔｙ ∗ ＬＩ ＪｉｎｇꎬＣＡＯ Ｙｉｎ￣ｈｕａ ꎬＬＩＵ Ｙｏｕ￣ｑｉａｎｇꎬＸＵ Ｓｈａｎｇ￣ｒｕｉꎬ ＱＩＮ Ｗｅｎ￣ｂｉｎꎬＱＩＵ Ｙｕｎ￣ｔａｏꎬＹＡＯ ＬｅｉꎬＺＥＮＧ Ｘｉａｏ￣ｄｉꎬＷＡＮＧＺｈｉ￣ｙｏｎｇ (Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｌａｓｅｒ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＢｅｉｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＢｅｉｊｉｎｇ １００１２４ꎬＣｈｉｎａ) ∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｃａｏｙｈ＠ｂｊｕｔ.ｅｄｕ.ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｔｈｅ ｓｍｉｌｅ ｅｆｆｅｃｔ ｗａｓ ｍｅａｓｕｒｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｌａｓｅｒ ｐａｃｋａｇｉｎｇ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ｅｘｔｅｒｎａｌ ｃａｖｉｔｙ ｍｉｒｒｏｒ ｏｆ ｗｈｉｃｈ ｔｈｅ ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ ｗａｓ ｇｒｅａｔｅｒ ｔｈａｎ ｔｈｅ ｆｒｏｎｔ ｃａｖｉｔｙ ｓｕｒｆａｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ｓｅｍｉ￣ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｔｏ ｆｏｒｍ ｅｘｔｅｒｎａｌ ｃａｖｉｔｙ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｌａｓｅｒ. Ｉｎ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔꎬｔｈｅ ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ ｌｅｎｓｗａｓ ｉｎ￣ ｓｅｒｔｅｄ ｉｎｔｈｅ ｅｘｔｅｒｎａｌ ｃａｖｉｔｙ. Ｔｈｅ ｅｘｔｅｒｎａｌ ｌａｓｅｒ ｃａｖｉｔｙ ｗａｓｏｎｌｙ ｆｏｒｍｅｄｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅ ｏｕｔｅｒ ｍｉｒｒｏｒ ａｎｄ ｔｈｅ ｓｉｎｇｌｅ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔ ｉｎｔｈｅ ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ ｌｅｎｓｌｉｇｈｔ ａｘｉｓ. Ｔｈｅｌａｓｅｒ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｏｆ ｔｈｅｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔ￣ ｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔｗａｓｒｅｄｕｃｅｄｔｏｏｕｔｐｕｔｌａｓｅｒｕｎｄｅｒｔｈｅｅｘｃｉｔａｔｉｏｎｃｕｒｒｅｎｔｌｅｓｓｔｈａｎｔｈｅ