掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’( ’ #5 ’ ， ， ， V-. /’( 7- /’ W@X #5 （ ） !+#*3#53’( ’ 3#*%)+) R86R S=:TU8R TU7U8R !#5 8CAD / SCXY / T-2 / 掺杂对铌酸锂晶体非挥发 全息存储性能的影响! ）） ）） ）） ）） 付 博! 张国权! # $ 刘祥明! # 申 岩! # ） ） ） ）） % ! ! ! # 徐庆君 孔勇发 陈绍林 许京军 !）（南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室，天津 %’( ） # ）（南开大学物理科学学院光子学中心，天津 (!） ）（中国工程物理研究院流体物理研究所，绵阳 )#!* ） % ）（枣庄学院物理系，枣庄 #((!) ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #( ( % #( * #! 通过研究掺镁、掺锌和掺铟同成分铌酸锂晶体的紫外 红光双色全息存储性能，发现双色记录响应时间均比单 + 色记录时明显缩短，最多的可减小 个数量级；双色记录灵敏度大幅度提高，在掺镁 的晶体中可达到 ’ ,-. / 0 !1 ! 2,34 / 在掺杂浓度超过抗光损伤阈值的铌酸锂晶体中，均可实现非挥发全息存储 但是，在掺镁、锌样品中，深、浅能 / 级中心上的光栅反相，而在掺铟样品中则表现为同相/ 这是由于掺杂离子的种类不同，在铌酸锂晶体中形成的缺陷 中心也不同所引起的/ 关键词：掺杂，铌酸锂晶体，非挥发，全息存储 ： ， ， !## %#% %#)’ %#56 光存储、光耦合材料的需求日益强烈，许多研究组都 相继开展了对紫外光折变效应的研究 在 世纪 !1 引 言 / #