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《传感器与检测技术》复习题纲()[完整]
《传感器与检测技术》复习提纲
题型:
选择题 (占24%)
填空题 (占24%)
简答题 (占24%)
计算题 (占20%)
应用题 (占8%)
参考题:
填空题:
1、金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由 ( B ) 来决定的。
A、贴片位置的温度变化 B、 电阻丝几何尺寸的变化
C、电阻丝材料的电阻率变化 D、外接导线的变化信号传输过程中,产生干扰的原因是()A.信号是缓变的 B.信号是快变的C.干扰的耦合通道 D.信号是交流的对压电式加速度传感器,希望其固有频率( )A.接近零 B.尽量低些C.尽量高些 D.任意
6、不能采用非接触方式测量的传感器是:( C )。
A、霍尔传感器; B、光电传感器;
C、热电偶; D、涡流传感器
7、通常所说的传感器核心组成部分是指:( B )
敏感元件和传感元件 B、敏感元件和转换元件
C、转换元件和调理电路 D、敏感元件、调理电路和电源
8、半导体应变片具有()等优点。A.灵敏度高 B.温度稳定性好C.可靠性高 D.接口电路复杂
A、光敏二极管 B、硅光电池
C、光电管 D、光导管
10、将电阻应变片贴在( )上,就可以分别做成测力、位移、加速度等参数的传感器。A.质量块 B.导体C.弹性元件 D.机器组件 )。
A、60 B、120
C、180 D、240
29.下列测力传感器的类型中,属于发电型的是( CC P3 )
A、电感型 B、电容型
C、压磁型 D、应变型
30.下列线位移传感器中,测量范围大的类型是( BBP22 )。
A、自感式 B、差动变压器式
C、电涡流式 D、变极距型电容式
31.为了进行图像识别,应当先消除图像中的噪声和不必要的像素,这一过程称为( CCP81 )。
A、编码 B、压缩
C、前处理 D、后处理
32.热电偶的热电动势包括( AAP90 )。
A、接触电动势和温差电动势 B、接触电动势和非接触电动势
C、非接触电动势和温差电动势 D、温差电动势和汤姆逊电动势
33.在四倍细分的光栅位移传感器中,根据两路信号的相位差辨别方向时,相位差值不能是( DDP151 )。
A、45° B、90°
C、135° D、180°
34.封装有光电耦合器内部的是(D DP155 )。
A、两个发光二极管 B、两个光敏三极管
C、一个光敏二极管和一个光敏三极管 D、一个发光二极管和一个光敏三极管
35.由RC网络与集成运算放大器组成的带通滤波器需要的电容元件的个数至少为( BBP134 )。
A、1 B、2
C、3 D、4
36.信号的方差小,表示信号的( A AP175 )。
A、滤动范围小 B、波动范围大
C、平均功率小 D、平均功率大
二、填空题
13、对传感器进行动态 标定(或校准或测试) 的主要目的是检测传感器的动态性能指标。
14.运算 是计算传感器 线性度 的公式。
15.传感器的 过载 能力是指传感器在不致引起规定性能指标永久改变的条件下,允许超过测量范围的能力。
16.要使直流电桥平衡,必须使电桥相对臂电阻值的__乘积__ 相等。
17.在研究传感器的动态特性时,可采用不同频率的正弦输入信号来分析传感器的 动态响应 。
18.广泛用于工业测温的 铂热 铂 电阻,物理化学性能稳定,测温精度高。
19.电容式压力传感器是 间隙 型的。
20.利用电涡流位移传感器测量转速时,被测轴齿盘的材料必须是 导磁金属材料 。
21.图像处理过程中直接检测图像灰度变化点的处理方法称为 微分法 。
22.热敏电阻常数B大于零的是 负 温度系数的热敏电阻。
23.若测量系统无接地点时,屏蔽导体应连接到信号源的 接地端
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