场效应晶体管及其放大电路例3.docVIP

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场效应晶体管及其放大电路例3

第三章 场效应晶体管及其放大电路 ?   场效应管的基本概念      例3-1   例3-2   例3-3   例3-4   场效应管放大电路分析      例3-5   例3-6   例3-7 【例3-1】在图示电路中,已知场效应管的;问在下列三种情况,管子分别工作在那个区?    (1),    (2),    (3), 【相关知识】 场效应管的伏安特性。 【解题思路】 根据管子工作在不同区域的特点,判断管子的工作状态。 【解题过程】 (1) 因为                管子工作在截止区。 (2) 因为                   管子工作在放大区。    (3) 因为                   管子工作在可变电阻区。 【例3-2】测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及其开启电压如表1所示。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。 表1 管? 号 UGS(th)/V US/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 -5 1 3 ? T2 -4 3 3 10 ? T3 -4 6 0 5 ? 【相关知识】    场效应管的伏安特性。 【解题思路】    根据管子工作在不同区域的特点,判断管子的工作状态。 【解题过程】    因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。判断管子的工作状态    当,时,管子处于恒流区;    当,时,管子处于可变电阻区;    ,管子处于截止区。    由此可判断出它们各自的工作状态如表2所示。 表2 管? 号 UGS(th)/V US/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 -5 1 3 恒流区 T2 -4 3 3 10 截止区 T3 -4 6 0 5 可变电阻区 【例3-3】 两个场效应管的转移特性曲线分别如图 (a)、(b)所示,分别确定这两个场效应管的类型,并求其主要参数(开启电压或夹断电压,低频跨导)。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。 (a)?????????????????????????????????????????????? (b) 【相关知识】    (1)场效应管的转移特性。    (2)场效应管的电参数。 【解题思路】    根据场效应管的转移特性确定其开启电压或夹断电压,及在某一工作点处的跨导。 【解题过程】    (a)图曲线所示的是P沟道增强型MOS管的转移特性曲线。其开启电压UGS(th)=-2V,IDQ= -1mA ??????? 在工作点(UGS=-5V, ID=-2.25mA)处,跨导   (b)图曲线所示的是N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线,其夹断电压,   在工作点(UGS=-2V, ID=1mA)处,跨导 【例3-4】电路如图(a)所示,管子T的输出特性曲线如图(b)所示。    (1)场效应管的开启电压UGS(th)和IDO各为多少?    (2)uI为0 V、8 V两种情况下uO分别为多少?    (3)uI为10 V时在可变电阻区内g ? s间等效电阻rDS为多少? 【相关知识】    场效应管的主要参数,场效应管的工作状态。 【解题思路】    (1)从图(b)中读出场效应管的主要参数UGS(th)和IDO。    (2)列输出回路方程,用作图法确定uI为不同电压值时uO的值。    (3)求解对应uGS=10 V的输出特性曲线的可变电阻区的等效电阻。 【解题过程】    (1)从图(b)可知UGS(th)=4 V, IDO为UGS=2 UGS(th)=8 V时的ID,为1 mA。    (2)当uGS=uI=0 V时,管子处于夹断状态,因而iD=0。uO=uDS=VDD ? iD Rd=VDD=15 V。 当uGS=uI=8 V时,从输出特性曲线可知,管子工作在恒流区时的iD=1 mA,所以 uO=uDS=VDD ? iD Rd=(15?1×12)V=3 V   UGD=UG ? UD=(8?3)V>UGS(th),故管子工作在可变电阻区。此时g?s间等效为一个电阻rDS,与Rd分压得到输出电压。从输出特性中,在UGS=8V的曲线的可变电阻区内取一点,读出坐标值,如(2,0.5),可得等效电阻   所以输出电压   (3)在uGS=10 V的曲线的可变电阻区内取一点,读出坐标值,如(3,1),可得等效电阻   与uGS=8V的等效电阻相比,在可变电阻区,uGS增大,等效电阻rDS减小,体现出uGS对rDS的控制作用。 【例3-5】 电路如图(a)示。其中,,,,场效应管的输出特性如图(b) 所示。试求电路的静态工作点、和之值。 图(a)???????????????????????

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