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利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料.pdf
第30卷第4期 红外与毫米波学报 V01．30，No．4
1
2011年8月 Millim．Waves August，201
J．Infrared
文章编号：1001-9014(2011)04—0301—04
利用迁移率谱技术研究P型碲镉汞材料
张可锋1， 林铁2， 王妮丽1， 王 仍1， 焦翠灵1， 林杏潮1， 张莉萍1， 李向阳1
(1．中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室，上海200083；
2．中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海200083)
摘要：窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料，特别是对于P材料，由于电子和空穴
的迁移率相差大约两个数量级(b=以／g。一102)，更容易受到少数载流子电子的干扰，因此单一磁场的霍尔测试无
法准确有效地给出P型材料的电学参数．通过变温变磁场的霍尔测试对P型HgCdTe材料的磁输运特性进行了测
试，结合迁移率谱技术确定了材料中各种载流子的迁移率，并给出了它们对电导的相对贡献，以及自然氧化对样品
中各种载流子的影响．
关键词：碲镉汞；磁输运；迁移率谱；自然氧化
中图分类号：TN215；TN304．25文献标识码：A
on mobility
StudyP·typeHgCdTesinglecrystalsby
spectrumanalysis
ZHANG WANG WANG
Ni—Lil， JIAO
Ke-Fen91，LinTie2， Ren91， Cui-Lin91，
LIN ZHANG
Xing—Cha01， Li-Pin91，LIXiang—Yan91
Infrared and InstituteofTechnical
of Materials
(1．KeyLaboratory Imaging Detectors，Shanghai Physics，
Chinese of 200083，China；
AcademySciences，Shanghai
2．National forInfrared InstituteofTechnical
Laboratory Physics，Shanghai Physics，ChineseAcademy
0fSciences．Shanghai200083，China)
weremuhicarriersemiconductormaterialwith5儁ma6?m#?駁3???F@
Abstract：Very—narrow—gapHscdTesinglecrystals
oftheelectron to
a fieldcouldleadtoerroneouscon
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