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第三章 俄歇电子能谱 （AES） 第三章 俄歇电子能谱 （AES） 本章讲授内容 本章讲授内容 一 概述 一 概述 二 俄歇效应 二 俄歇效应 三 Auger 电子能谱 三 Auger 电子能谱 四 Auger峰能量 四 Auger峰能量 五 俄歇峰精细结构 五 俄歇峰精细结构 六 俄歇信号强度 六 俄歇信号强度 七 AES定性分析 七 AES定性分析 八 AES定量分析 八 AES定量分析 九 AES 的分析应用 九 AES 的分析应用 一、概述 俄歇电子能谱(Auger Electron Spectroscopy, AES) 当采用聚焦电子束激发源时，亦称为：扫描俄歇微探 针 (Scanning Auger Microprobe, SAM） AES分析是以e束(或X-射线束)为激发源, 激发出 样品表面的Auger 电子, 分析Auger 电子的能量和强度, 可获元素种类、含量与分布、以及化学态等信息。 当采用e束激发源时，由于e可以聚焦，因而它还 具微区分析功能。 本章介绍基于e束激发的俄歇电子能谱。 AES的历史 AES的历史 1925年法国物理学家P.Auger在用X射线研究光电效 应时发现俄歇电子，并对现象给予了正确的解释。 1968年L.A.Harris采用微分电子线路检测俄歇电子 能谱，使的AES开始进入实用阶段。 1969年Palmberg、Bohn和Tracey引进了筒镜能量 分析器，提高了AES灵敏度和分析速度，使俄歇电 子能谱被广泛应用。 AES主要特点 由于e束聚焦后其束斑小，AES 的分辨率高，适于做微 区分析：可进行点分析，线和面扫描。 仅对样品表面2nm以浅的化学信息灵敏。 特 特 俄歇电子的能量为物质特有,与入射粒子能量无关。 点 点 可分析除H和He以外的各种元素,轻元素的灵敏度较高. AES可分析元素的价态。由于很难找到化学位移的标准 AES可分析元素的价态。由于很难找到化学位移的标准 数据，因此谱图的解释比较困难。 数据，因此谱图的解释比较困难。 可借助离子刻蚀进行深度分析，实现界面和多层材料 的剖析，深度分辨率较XPS更好。 深度分辨率较XPS更好。 e束带电荷，对绝缘材料分析存在荷电影响。 局 限 e束能量较高，对绝热材料易致损伤。 定量分析的准确度不高 二、俄歇效应 二、俄歇效应 二、俄歇效应 俄歇电子 X 射 线 C B A 电子激发引起的X-射线和俄歇电子发射 电子激发引起的X-射线和俄歇电子发射 俄歇电子 X