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纲要简答 1.光学光刻的基本工艺流程： 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、 对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 2.特征尺寸，分辨率，焦深，数值孔径。各个参数之间的相互关系； NA (R=k /NA) 提高光学光刻分辨率的方法；数值孔径 对曝光分辨率 λ (=/NA2  ) 和曝光聚焦深度 ， 为曝光波长 的影响。 意义 特征尺寸 集成电路中半导体器件的最小尺寸 分辨率R 可以曝光出来的最小特征尺寸 焦深DOF 透镜焦点周围的一个范围，在这个范围内图像连续地 保持清晰，这个范围被称为焦深 数值孔径NA 透镜收集衍射光的能力称为透镜的数值孔径(NA) 关系： k1 其中 是曝光工艺因子，λ为光源波长 3.电子束光刻基本原理流程，影响电子束光刻精度因素和校正方法。 原理：电子束光刻技术是利用电子束在涂有电子抗蚀剂的晶片上直接 描画或投影复印图形的技术。分辨率极高，适用于制作纳米尺寸图形。 流程：电子束光刻技术的主要工艺过程为涂胶、前烘、电子束曝光、 显影和坚膜。 影响精度的因素：内部工艺因素主要取决于电子束斑尺寸、扫描步长、 电子束流剂量和电子散射引起的邻近效应。外部工艺因素包括电子抗 蚀剂的厚度和显影时间。此外环境温度、电磁干扰、机械振动和电源 不稳定都会影响曝光精度。 校正方法：几何尺寸校正、剂量校正； 4.X射线光刻的基本原理，曝光波长的选择方法和依据： 原理：以更短的波长获得更高的曝光精度，分辨率高，穿透深度深， 适用于制作小尺寸、大高径比图形。 曝光波长：接近式曝光，受下面公式 衍射效应影响： X X 射线透过光刻胶后会在衬底激发二次电子，此外， 射线的照射 可能激发光电子，二次电子和光电子的各向同性散射会使非曝光区也 X 受到曝光。这与电子束曝光中的邻近效应类似。在短波长 射线曝 光中，上述现象越明显。 5. X 比较光学曝光、 射线曝光、电子束曝光这三种曝光技术的基本原 理及其优缺点： 曝光作用是指将设计制作的掩膜板上的图形转换成基片上的器件结构。 光学曝光 X射线曝光 电子束曝光 X射线曝光原理跟胶 电子束曝光是利用电子束在涂 原理 片照相机是一样的， 有感光胶的晶片上直接描画或 只是两种胶片的材质 投影复印图形的技术 稍有不同。 更高的曝光精度，分 电子束可以直接对光刻胶进行曝光 优点 辨率高，穿透深度深 而不需要掩膜板。 分辨率低，存在极限 缺点 X射线来源 曝光效率低 6.机械泵、分子泵、扩散泵、离子泵 机械泵 依靠放置在偏心转子中的可以滑进滑出的旋片，将气体 隔离