K—i杂钼中的弥散相成分S掺.pdfVIP

． K— 爵 域分 Vo1．18№ ．3 中 国 钼 业 总第 52期 Jhne1g94 CHINA MOLYBDENUM INDUSTRY SUM N 5Z K—Si掺杂钼 中的弥散相成分 钟培全 编译 r 【，‘ ． f乙 摘 要 K-Sl掺杂钼丝在高真空中2300K下再结晶后．其剩余电阻率远 比未掺杂钼丝大 ，这表明其基 体内溶入 了相当部分的Si添加荆 。1800K下吸收氧 。而 Si(和AI)就会以氧化物形式析 出。根据K： SiO：_A o|系相图．溶入钼中的Si和 在氧化反应时会化合成掺杂物相。结果认为 ，掺杂态细铝丝和钼 片(板)中的掺杂物相成分主要与其温度和气氛分压的高低有关 。 1 前言 试样连同两恨点焊式钨极引线一起装进线 K—si掺杂钼 的弥散相形态和构形与 K—S|- 圈，测定该部分丝斟的电位降，丝料在 自阻加热 Al掺杂钨极为相似 。其特征：晶粒过分长大期间 期 ，其温度分布均匀。试样在整个热处理和电阻 形成相同的链锁晶粒结构 {但两种微合金中的弥 测定期间应持续固定在线圈上． 散相成分则不尽相 同。再结晶钨中的替散相由钾 在热处理过程^中连续记录位 (极)线区闻试 泡构成而 K．si掺杂态再结晶钼的弥散则 由球状 样的电阻并调整加热电流 以保持热电阻值不变 。 硅酸钾或硅酸铝钾掺杂物构成。钼的这种化学成 不时中断加热处理并在 300K和 77K下测定试 分差异与其所用的较低烧结温度有关 ，因为钼的 样 电阻，即用电阻温度计授I定电阻的实际温度并 终烧结温度仅为 2200~C，而钨 为 2850C，况 修正所铡电阻与标称温度偏差。 且钨 中的硅酸铝钾掺杂物耍在 2300℃以上最后 根据热／环境 电阻比来调定热处理温度，再 烧结温度下才能有效分解成元素钾 。 根据已知温度与纯钼电阻率的关系，使热 ／环境 通过 比较其形态相似特征和不同的化学成 电阻比转换为温度 。 分分析，人们亦可加深对两种微合金性髓和加工 用 77K和 300K下的测定电阻比来计算剩 进程的认识．因此，本文试 图比较、分析掺杂物相 余 电阻率 yE。这样，尽管有明显的氧诱发试样蒸 在烧结后产生的成分变化，井用实验数据得出和 发，但仍能测到实际的剩余电阻率。可用相应的 证实一种结论：K一 掺杂态细钼丝中的实际掺 剩余电阻率来简单表示实际的剩余电阻率为： 杂物相成分可依赖于其不同的应用条件。 a= 78 B 2 实验过程 式中 是 300K下的假负载电阻率。 实 验 用 分 别 古 有 180umol／molk， 3 实验结果 一 1200~mol／molSi 和 300pmol／mo~Al 的 首先 ，试样通过在舍有 l0mbar氧 局部压 180vm、k—Si掺杂钼丝。其中K吉量仅为掺杂钨 力的真空室2300K下退火 15分钟后，测定再结 丝的 i／2，而 si和 AJ古量则要 比掺杂钨丝高出 晶态掺杂钼丝和未掺杂钼丝的剩余电阻率 果 15倍 以上 。 表明，束掺杂钼丝相应的剩余 电阻率总是小于 试样于真空室内经 自阻加热处理。主要残余 1 ，而掺杂钼丝是在 8 和 l8 之间不等 ，但这 气体为氧 。氯气，用一个连通有保护气氛的微调 要视其不向的生产厂家而定。从图示看出，同批 阀来调节真空室压力。热处理用氧分压用真空室 再结晶丝料的剩余电阻率实