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2017-12-05 发布于浙江
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2-GHzCMOS射频低噪声放大器的的设计与测试

第9 期电子学报 Voi . 30 No .9 年月 2002 9 ACTA ELECTRONICA SINICA Sep . 2002 2-GHZ CMOS 射频低噪声放大器的设计与测试林敏，王海永，李永明，陈弘毅（清华大学微电子学研究所，北京100084 ）摘要：本文采用工艺，针对无线通信系统前端（）的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测 CMOS Front-end 试测试结果表明，该放大器工作在的中心频率上，带宽约为，功率增益为，小于 . 2 .04-GHZ 3dB 110MHZ 22dB NF 3 .3dB . 测试结果与仿真结果能够很好地吻合. 关键词： CMOS 射频集成电路；低噪声放大器；噪声中图分类号：文献标识码：文章编号：（） TN4 A 0372-2112 2002 09-1278-04 Design and Test of 2-Ghz CMOS RF Low Noise Amplifier ，，， LIN Min WANG Hai-yong LI Yong-ming CHEN Hong-yi （，，） Institute of Microelectronics Tsinghua Uniuersity Beij ing 100084 ：（） Abstract Design and test of a 2-GHZ RF iow noise ampiifier LNA impiemented with CMOS technoiogy is presented here . Measurement resuits show this ampiifier works weii centered at 2 .04GHZ freguency，（） with a 22dB forward power gain S21 and a noise （）， figure NF iess than 3 .3dB . It has a fairiy wide 3-dB bandwidth which is 110MHZ suitabie for most portabie wireiess appiications . ：；