IGBT驱动与选型.pdfVIP

IGBT 原理及其特性 1 IGBT 原理： 1 IGBT 术语说明： 1 IGBT 选型说明： 4 IGBT 交换特性： 10 电容特性：11 IGBT 的门极驱动电路的设计13 驱动条件和主要特性的关 13 门极正偏压电压：+VGE （导通期间）13 门极反偏压电压：-VGE （阻断期间）14 门极电阻：RG15 关于驱动电流：18 空载时间的设定：19 自举电路19 IGBT 原理及其特性 IGBT 原理： IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), 也称为绝缘栅双极晶体管, 是一种复合了功率 场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件, 它同时具有 MOSFET 的高速 开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性及易实现较大电流的能力，既具有输入 阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承 受电流大的优点，这使得 IGBT 成为近年来电力电子领域中尤为瞩目的电力电子驱动器件， 并且得到越来越广泛的应用。 IGBT 术语说明： 表 1-1 绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings ） 术语 符号 定义与说明 （条件请参照各种产品的说明书。） 集电极－发射极间的电压 在门极－发射极之间处于短路状态时，集电极―发射 (Collector-Emitter voltage) VCES 极间能够外加的最大电压 门极－发射极间的电压 在集电极―发射极间处于短路状态时，门极―发射极 (Gate-Emitter voltage) VGES 间能够外加的最大电压（通常±20V max. ） 集电极电流 集电极的电极上容许的最大直流电流 I C (Collector current) 集电极的电极上容许的最大脉冲电流 I C pulse 内置二极管上容许的最大直流正向电流 - I C 内置二极管上容许的最大脉冲正向电流 - I C pulse 最大损耗 每个元件上的 IGBT 所容许的最大功率损耗 (Collector power dissipation) p C 结温 使元件能够连续性工作的最大芯片温度（需要设计成 (Junction temperature) 即使在装置中最坏的状态下，也不超出这个值） T