在KDS中使用C90TFS操作flash的问题讲解.pdfVIP

【经验分享】在KDS 中使用C90TFS 操作flash 的问题讲解 一，问题描述 最近有个客户在使用C90TFS 移植到K22 KDS KSDK 工程中的时候，发现在操作flash sector 擦除之后，返回的FTFA_FSTAT 寄存器总是0X40，也就是ACCERR 为1，访问flash 错误。通过查看对应的K22 参考手册，可以知道： 产生ACCERR 错误，通常有如上表格中的三种情况。但是客户使用的命令是这样的： FCCOB0=0X09 FCCOB1=0X07 FCCOB2=0XA0 FFCCOB3=0X00 也就是对地址0X07A000 所在的sector 执行擦除命令，所以命令，地址都没有错误。那么 到底是什么原因导致的呢？ 首先想一下，和flash 操作失败相关的因素一般有几点，1，操作flash 之前没有关闭中 断，这样flash 操作时，产生中断，导致flash 操作错误；2，发起flash 操作命令没有放到 RAM 中；3，flash 操作时钟超限或者时钟模式不对。 下面带着这几个排查点具体分析问题，测试平台TWR-K22F120M, FRDM-K22F120M。 二，问题排查与解答 1. 操作flash 前中断关闭否 查看代码： 1 可以看到，操作flash 之前，已经关闭了全局中断。 2. 发起flash 命令代码未放到RAM 其实，如果flash 操作的发起命令代码如果不是放在被操作的flash 区域，应该也不会 影响到flash 的操作。而在执行flash sector 之前，已经查看过，该sector 并没有存放程序 代码。不过为了flash 的快速执行，通常还是把flash 操作的发起命令代码放到RAM 中执 行。 从上图的代码中可以看到： g_FlashLaunchCommand = (pFLASHCOMMANDSEQUENCE)RelocateFunction((uint32_t)ramFunc , LAUNCH_CMD_SIZE ,(uint32_t)FlashCommandSequence); 该命令FlashCommandSequence 已经放到了RAM 中，所以肯定不会是这个因素影响的。 3. flash 时钟越界或时钟模式不对 从reference manual 的时钟章节，可以看到： Flash clock 时钟最高只能到26.67Mhz. 下面查看代码时钟情况 2 可以看到，定义内核时钟为120Mhz，而OUT4 为4 ，则按照时钟系统： 可以知道，这样算下来，flash 时钟=120M/5=24M，可以看到时钟还是符合要求，小于 26.67Mhz. 但是从代码中，可以清晰的看到，编译的是：(CLOCK_INIT_CONFIG == CLOCK_HSRUN) 从K22 的功耗模式章节可以看到： 3 也就是flash 的编程或者擦除是不能运行在HSRUN 和VLPR 模式下面的，所以这里可以知 道是时钟模式不对导致的。那么就需要把功耗模式换为RUN 模式，具体配置在下图： 这里就有点奇怪，为何定义了CLOCK_RUN，在KDS 中编译，还是编译的未定义 CLOCK_INT_CONFIG 呢？可以看到，其实程序中需要的是CLOCK_INIT_CONFIG, 而客户把 INIT 写成了INT 了，这就是为何功耗模式不对的原因，修改为CLOCK_INIT_CONFIG 之后， 可以看到flash 就能够准确的操作擦除和编程了。 三总结 FLASH 操作需要注意三大点： 1，操作flash 之前关闭全局中断，flash 操作完成后，可以重新开启中断 2，发起flash 操作命令放到RAM 中； 3，Flash 编程和擦除操作不能放在高速运行HSRUN 和VLPR 模式下。 4