自然辨证法在半导体研究中体现.docVIP

浅谈自然辩证法在Z nO薄膜的制备中的体现 学 院（系）： 物理与光电工程学院 专 业： 微电子学与固体电子学 学 生 姓 名： 李飞 学 号： 指 导 教 师： 姜春林 评 阅 教 师： 姜春林 大连理工大学 Dalian University of Technology 摘 要 氧化锌（ZnO）是一种直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，其室温下禁带宽度约为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，远高于GaN室温下的热离化能（2 meV），ZnO中的激子能够在室温下稳定存在，并且可以产生很强的光致激子紫外发射，非常适于制备室温或更高温度下低阈值、高效率受激发射器件。由于ZnO在结构、电学和光学性质等方面有很多优点，并且ZnO薄膜的制作方法很多，如磁控溅射(Magnetron Sputtering)、脉冲激光沉积(PLD)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、喷雾热解(SP)、分子束外延(MBE)等，使其在光探测器、表面声波器件、透明电极、太阳能电池等光电子领域有很大的发展前景。而制备高质量的ZnO薄膜对于实现以上的这些应用具有重要意义。ZnO薄膜磁控溅射：ZnO薄膜；磁控溅射On The Presentation of Natural Dialectics in prepareing ZnO thin film Abstract ZnO has attracted great interest for its wide band gap (3.37eV) and relatively large exciton binding energy (60meV) at room temperature (RT). It has been regarded as one of the most promising candidates for the next generation of ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LED) and lasing devices(LD) operating at high temperatures and in harsh environments. Because of the advantages in structure, electrical and optical propertied as well as various methods for synthesizing ZnO thin films, such as magnetron sputtering, pulsed laser deposition, metal-organic chemical vapor deposition, spray pyrolysis, molecular beam epitaxy etc. methods, ZnO thin films have widely applications in photo-detectors, surface-acoustic devices, transparent electrodes, solar cells and so on. This paper introduces Magnetron Sputtering way of the all kinds of prepareing ways of ZnO thin film typically, and analyzes it with concepts of Natural Dialectics, which demonstrates that the later plays an important role in scientific practice. Key Words：nO thin ?lm; Magnetron Sputtering；Natural Dialectics 目 录 摘 要 I Abstract II 引 言 1 1 ZnO薄膜 2 1.1 ZnO的结构和性能 2 1.2 ZnO的应用 4 1.2.1 ZnO基发光器件 5 1.2.2 紫外探测器 5 2 磁控溅射 5 2.1 ZnO的制备方法 5 2.2 磁控溅射（Sputtering） 6 2.3磁控溅射法制备ZnO薄膜 6 1 制作靶材 6 2衬底的清洗 7 3实验过程 7 4实验结果 7 3自然辩证法在其中的体现 8 3.1认识与改造自然界方面 8