In2O3纳米线制备和其特性.pdfVIP

第 27 卷 　第 3 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 3 2006 年 3 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Mar . ,2006 In O 纳米线制备及其特性 2 3 谢自力 　张 　荣 　高 　超 　刘 　斌 　李 　亮 　修向前 　朱顺明　顾书林 韩 　平 　江若琏 　施 　毅 　郑有 　 ( 南京大学物理系 , 江苏省光电功能材料重点实验室 , 南京 　2 10093) 摘要 : 使用管式加热炉成功地制备出 In O 纳米线. 通过扫描电子显微镜可以看到样品为 In O 纳米线 ;X 射线衍 2 3 2 3 射分析证实该材料是立方结构的 In O ;X 射线光电子谱分析发现该 In O 中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显 2 3 2 3 ( ) 示制得的 In O 纳米线有比较强的发光现象 ,主要集中在紫外光谱区. 同时对反应的气相固相 VS 生长机理和 2 3 In O 的光致发光机理进行了详细分析. 2 3 关键词 : In O ; 纳米线 ; X 射线衍射 ; 扫描电子显微镜 2 3 PACC : 6480 ; 8115 H ; 8120 中图分类号 : TN 3042 + 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 明度 , 并且对红外光有很高的反射率[ 6 ] . I n O x / I TO 1 　引言 透明导电薄膜用途十分广泛 , 如 电子照相 、静 电复 印、光记录 、磁记录 、保护层等[ 7 ] . I n2 O3 薄膜另一个 量子效应使低维结构半导体材料表现出许多优 重要的应用就是作为研制超灵敏度气体 , 特别是有 良的特性 , 因而引起人们极大的研究热情[ 1～4 ] . 由于 毒气体探测器材料. 这是利用其表面和气体之间的 量子尺寸的限制效应 , 量子线材料电子能量状态呈 相互作用及电子转移变化来检测的. 目前已经实现 现类似原子分裂的 V 形 、T 形或斜 T 形能级结构. 的有 O , CO , CO , N O , H , H S , N H , Cl 和