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5．外部数据存储器接口和片内XRAM C8051F020/1/1/3 MCU 内部有位于外部数据存储器空间的4096 字节片上RAM（XRAM），还有外部数据存储器接口（EMIF），可用于访问片外存储器和存储器映射的I/O 器件。 5.1 访问XRAM XRAM 存储器空间用MOVX 指令访问。MOVX 指令有两种形式，这两种形式都使用间接寻址方式。 第一种方法使用数据指针DPTR，该寄存器中含有待读或写的XRAM 单元的有效地址。 第二种方法使用R0 或R1，与EMI0CN 寄存器一起形成有效XRAM 地址。 下面举例说明这两种方法。 5.1.1 16 位MOVX 示例 16 位形式的MOVX 指令访问由DPTR 寄存器的内容所指向的存储器单元。下面的指令将地址0x1234 的内容读入累加器A： MOV DPTR, #1234h ; 将待读单元的16 位地址（0x1234）装入DPTR MOVX A, @DPTR ; 将地址0x1234 的内容装入累加器A 上面的例子使用16 位立即数MOV 指令设置DPTR 的内容。还可以通过访问特殊功能寄存器DPH（DPTR 的高8 位）和DPL（DPTR 的低8 位）来改变DPTR 的内容。 位7-0： PGSEL[7:0]：XRAM 页选择位 当使用8 位的MOVX 命令时，XRAM 页选择位提供16 位外部数据存储器地址的高字节，实际上是选择一个256 字节的RAM 页。 0x00：0x0000 – 0x00FF 0x01：0x0100 – 0x01FF … 0xFE：0xFE00 – 0xFEFF 0xFF：0xFF00 – 0xFFFF EMI0CN: 外部存储器接口控制 5.1.2 8 位MOVX 示例 8 位形式的MOVX 指令使用特殊功能寄存器EMI0CN 的内容给出待访问地址的高8 位，由R0 或R1 的内容给出待访问地址的低8 位。下面的指令将地址0x1234 的内容读入累加器A： MOV EMI0CN, #12h ; 将地址的高字节装入EMI0CN MOV R0, #34h ; 将地址的低字节装入R0（或R1） MOVX A, @R0 ; 将地址0x1234 的内容装入累加器A 位7-6： 未用。读 = 00b，写 = 忽略。 位5： PRTSEL：EMIF 端口选择位 0：EMIF 在P0-P3。 1：EMIF 在P4-P7。 位4： EMD2：EMIF 复用方式选择位 0：EMIF 工作在地址/数据复用方式。 1：EMIF 工作在非复用方式（分离的地址和数据引脚）。 EMI0CF: 外部存储器接口配置 位3-2： EMD1-0：EMIF 工作模式选择位 这两位控制外部存储器接口的工作模式。 00：只用内部存储器：MOVX 只寻址片内XRAM。所有有效地址都指向片内存储器空间。 01：不带块选择的分片方式。寻址低于4K 边界的地址时访问片内存储器，寻址高于4K 边界的地址时访问片外存储器。8 位片外MOVX 操作使用地址高端口锁存器的当前内容作为地址的高字节。注意：为了能访问片外存储器空间，EMI0CN 必须被设置成一个不属于片内地址空间的页地址。 10：带块选择的分片方式。寻址低于4K 边界的地址时访问片内存储器，寻址高于4K 边界的地址时访问片外存储器。8 位片外MOVX 操作使用EMI0CN的内容作为地址的高字节。 11：只用外部存储器：MOVX 只寻址片外XRAM。片内XRAM 对CPU 为不可见。 EMI0CF: 外部存储器接口配置 位1-0： EALE1-0： ALE 脉冲宽度选择位（只在EMD2 =0 时有效） 00：ALE 高和ALE 低脉冲宽度 = 1 个SYSCLK 周期。 01：ALE 高和ALE 低脉冲宽度 = 2 个SYSCLK 周期。 10：ALE 高和ALE 低脉冲宽度 = 3 个SYSCLK 周期。 11：ALE 高和ALE 低脉冲宽度 = 4 个SYSCLK 周期。 5.2 配置外部存储器接口 配置外部存储器接口的过程包括下面4 个步骤： 1. 将EMIF 选到低端口（P3、P2、P1 和P0）或选到高端口（P7、P6、P5 和P4）。 2. 选择复用方式或非复用方式。 3. 选择存储器模式（只用片内存储器、不带块选择的分片方式、带块选择的分片方式或只用片外存储器）。 4. 设置与片外存储器或外设接口的时序。 5. 选择所需要的相关端口的输出方式（寄存器PnMDOUT 和P74OUT）。 下面将对上述每个步骤作出详细说明。端口选择、复用方式选择和存储器模式位都位于EMI0CN 寄存器中，如下 所示。 5.3 端口选择和配置 外部存储器接口可以位于低端口（C8051F020/1/2/3）或高端口