ETCH名词解释.docVIP

专有名词解说—ETCH ◆ 英文名词 ： ETCH ◆ 中文名词 ： 蚀刻 定义： 利用物理、化学或是物理加化学的方式将材料移除的过程 说明： 使用物理方法(离子撞击)或是化学方法(薄膜与气体或是液体反应)，将薄膜或是基材不需要的部分去除。需要的部分可以由Mask保护，保留下来。 使用例子： Poly etch、SiN etch、Contact etch、Metal etch、Pad etch。  专有名词解说—ETCH ◆ 英文名词 ： Dry Etch ◆ 中文名词 ： 干蚀刻 定义： 利用气体作为与薄膜反应的物质，用物理或是物理加化学的反应去除材料 说明： 电浆蚀刻或是离子撞击蚀刻，如CF4电浆系统可蚀刻SiO2。 特性： 可以控制蚀刻时的方向性，得到平直的蚀刻剖面，但一般一次都只能蚀刻一片芯片  专有名词解说—ETCH ◆ 英文名词 ： Wet Etch ◆ 中文名词 ： 湿蚀刻 定义： 利用在溶液中的化学反应，将材料移除的过程 使用例子： 使用硫酸H2SO4溶液去除光阻、使用磷酸H3PO4溶液去除Si3N4薄膜、使用氢氟酸HF蚀刻SiO2。 特性： 蚀刻为等向性蚀刻，侧壁不比直，为曲线状，多为Batch式。  专有名词解说—ETCH ◆ 英文名词 ： Plasma ◆ 中文名词 ： 电浆 定义： 将气体加上电压，形成一个部分离子化的气体系统，成分包含离子、电子、分子与原子团。 说明： 电浆当中所含的正电和负电粒子具有相同的浓度。带电粒子的密度大概是109 ~ 1011/cm3，而离子比中性粒子的比例是10-4 ~ 10-6。 使用例子： 干蚀刻技术--电浆蚀刻、PECVD (Plasma Enhanced CVD)  专有名词解说—ETCH ◆ 英文名词 ： Isotropic / Anisotropic ◆ 中文名词 ： 等向性 / 非等向性 定义： 蚀刻等向性：表示每个方向的蚀刻速率都是一样的 蚀刻非等性性：表示不同方向的蚀刻速率不同 说明： 一般干蚀刻技术可以得到非等向性的蚀刻结果，湿蚀刻技术大多是等向性的。  专有名词解说—ETCH ◆ 英文名词 ： Selectivity ◆ 中文名词 ： 选择比 定义： 蚀刻的选择比，指同一个蚀刻方法对于不同薄膜蚀刻率的比值 说明： 被蚀刻薄膜/下层薄膜的选择比，会影响到蚀刻最后的结果，通常选择比愈大，蚀刻制程的控制能力愈好。  专有名词解说—ETCH ◆ 英文名词 ： Profile ◆ 中文名词 ： 剖面轮廓 定义： 半导体制程中，Profile指组件的侧面剖面轮廓 说明： 蚀刻制程主要就是控制剖面轮廓，成为理想中的图形。轮廓包含了蚀刻的宽度、深度、角度等。  专有名词解说—ETCH ◆ 英文名词 ： CD (Critical Dimension) ◆ 中文名词 ： 微距 定义： 半导体制程中，重要层次的线宽、线洞的距离尺寸 说明： 用来仿真黄光与蚀刻制程优劣的重要参数，例如Poly CD、Contact CD等，通常以SEM (Scanning Electron Microscope)量测  专有名词解说—ETCH ◆ 英文名词 ： AEI (After Etching Inspection) ◆ 中文名词 ： 蚀刻后检查 定义： 蚀刻站完成后，或是后续光阻去除后，以显微镜目检的工作站别 说明： 检查蚀刻制程是否造成缺陷( pits凹洞、蚀刻不足、 光阻残留等)，视情况处理产品，避免流入下一站。  专有名词解说—ETCH ◆ 英文名词 ： Aspect Ratio ◆ 中文名词 ： 定义： 孔洞的宽度除以孔洞的深度之比值，Width / Thickness 说明： 再黄光或是蚀刻的制程中，对于后段Metallization，需要形成细长的孔洞，利用Aspect Ratio 来代表孔洞的宽/深比。宽深比愈小，表示制程的难度愈高。  专有名词解说—ETCH ◆ 英文名词 ： Chamber ◆ 中文名词 ： 反应室 定义： 提供制程进行的反应环境，可控制环境的温度、气体与压力等参数 说明： 一部机台可能有一个或是多个的反应室，可以独立进行不同的制程。例如HPY机台，有Poly Chamber 和WSi Chamber用来沉积不同的薄膜。CDE机台，有Poly Chamber、Oxide Chamber 用来蚀刻不同的薄膜材料。  专有名词解说—ETCH ◆ 英文名词 ： End Point ◆ 中文名词 ： 蚀刻终点 定义： 蚀刻制程到达完成点，称为蚀刻终点 说明： 一般蚀刻制程，会利用雷射光侦测薄膜厚度，或是利用光谱分析蚀刻副产物原光谱的消失点，测得蚀刻终点。可避免蚀刻不足或是蚀刻过度。  更多信息，尽在半导体技术天