氮砷化铟量子井特性研究及其应用.PDF

氮砷化銦量子井特性研究及其應用 時定康 王智祥 林浩雄* 國立台灣大學電機工程系 * e-mail: hhlin@cc.ee.ntu.edu.tw 摘 要 本文對低氮含量的三五族化合物半導體做一簡單的介紹 ，並且以氮砷化銦為例 ，探討氮在砷化 銦中所造成的效應 。最後 ，我們也首度嘗試將氮砷化銦應用在雷射二極體的發光主動層上 ，成功地 製作出第一個氮砷化銦雷射二極體 ，發光波長遠長於同型傳統不含氮之雷射二極體 ，證明了低氮含 量的三五族化合物半導體應用於長波長雷射元件時極具潛力 。 料系統中觀察到。由圖中可看出就單一GaAsN材料 一、 簡介 而言 ，其能隙可由紫外光(立方系-GaN :3.2eV)涵 近年來，低含氮三五族化合物半導體(簡稱 蓋到紅光(GaAs:1.4 eV)。故在光電領域 ，具有廣泛 III-V-N)已引起廣泛的研究興趣 。當三五族化合物 應用的潛力。 半導體所摻入的氮含量很高而形成合金(alloy)態 4.0 時，將不再視為過去的等電性摻雜(isoelectronic 3.5 GaN 3.0 doping)，此時材料的物理性質將會有很大變化。圖 ) Al P V e 2.5 AlA s ( In N GaP 1為三五族化合物半導體之能隙與晶格常數關係 y 2.0 g AlS b r e 1.5 GaAs n InP 圖。細線部分為傳統三五族化合物半導體部份，圖 E 1.0