单片开关源设计.doc

单片开关电源设计 确定基本参数 、、、、、、、 、为交流输入最大最小值 交流输入电压U（V） Umin （V） Umin（V） 固定输入：100/115 85 132 通用输入：85～265 85 265 固定输入：230±35 195 265 为电网频率：50Hz或60Hz 为开关电源的工作频率 IC的型号 开关频率 NCP1200 40KHz、60KHz、100KHz NCP1216 65KHz、100KHz、133KHz ICE2A165、ICE2A265、ICE2A365 100KHz DM0365 67KHz DL0365 50KHz DH321 100KHz DL321 50KHz DL0165 50KHz FAN7601 100KHz DM0265 67KHz 为电源效率。 5V以下（含5V）输出取75%，5V～12V取80%，12V以上（不含12V）输出取85%。 Z为损耗分配系数，一般为0.5。 、为适配器的输出电压和输出功率 选择反馈电路类型以及反馈电压 一般有光耦配稳压管的反馈电路、光耦配TL431的反馈电路。 我们选择后一种， 确定输入滤波电容和 u(V) P0(W) 比例系数（μF/W） CIN（μF） VImin(V) 固定输入：100/115 已知 2～3 （2～3）P0值 ≥90 通用输入：85～265 已知 2～3 （2～3）P0值 ≥90 固定输入：230±35 已知 2～3 1 ≥240 计算公式： 确定、 初级感应电压 135V 钳位二极管反向击穿电压 200V 确定最大占空比 设定漏源导通电压 确定 初级纹波电流与峰值电流的比值。 确定初级波形参数 输入电流平均值 初级峰值电流 初级脉动电流IR 初级有效值电流 根据IP选择芯片 0.9ILIMT（min）≥IP 计算芯片结温Tj 若，选择功率较大的芯片。 验算 需要迭代计算 计算变压器值 选择磁芯和骨架。根据客户产品目录，确定以下参数。 磁芯有效横解面积（） 磁芯有效磁路长度 等效电感 骨架宽度 确定初级层数和次级匝数 取每伏匝数为0.6伏/匝 为整数 计算初级匝数，反馈绕组匝数 计算有效骨架宽度和初级导线外径（带绝缘层） 验证电流密度 ,选较粗导线和较大骨架 ，选较细导线与较小骨架 ，适当增加匝数。 计算最大磁通密度 增加磁芯横截面积或增加 必须在0.2～0.3之间。 计算磁芯气隙宽度 计算磁芯气隙时的磁芯等效电感 确定次级参数 次级峰值电流 次级有效值电流 输出滤波电容上的纹波电流 次级导线最小直径（裸线） 次级导线最大外径 确定 次级整流管最大反向峰值电压 反馈级整流管最大反向峰值电压 选择钳位二极管、阻塞二极管、输出整流管 钳位二极管可选瞬态抑制器（TVS） 左右（钳位电压） （85～265V）输入 阻塞二极管用快恢复或超快恢复二极管（如UF5401） 输出整流管（肖特基二极管）如：SB10100CT 选择输出滤波电容 在105℃、100KHz时的纹波电流应≥ 选择（等效串联电阻）很低的电解电容 输出纹波电压 大电流时，为减小，可将几只C 并联使用 容量与有关。 超过规定值，增加一级滤波 用磁珠，用扼流圈。 为减少L上的压降。选较大电感或增大线径。一般取。 滤波电容取，要求小。 选择反馈电路中的整流管 根据选择，一般选1N4148。（高速开关硅二极管） 也可选超快恢复二极管。 选择反馈滤波电容 陶瓷电容 选择控制端电容及串联电阻 电容一般选用47电解电容。电阻在不连续模式下可以省掉。 根据反馈电容选取元件值 选择整流桥 整流桥反向击穿电压 若选用四只二极管整流，耐压值还需提高。1N4007（1A，1000V） 整流桥额定有效值电流 输入有效值电流 开关电源功率因数，一般为0.5～0.7。若无更可信数据，选 完成设计。 Ellipticity of elbow pipes with diameters less than or equal to 150 mm must be not greater than 8% diameter of 200 mm or less shall not be greater than 6%. Wall thickness of the pipe wall thinning rate must not exceed the original 15%. Crease roughness: diameter 125 mm or less, shall not exceed 3 mm diameter less than or equal to 200 mm, not more than 4 mm