气体压强对非晶硅薄膜光学特性的影响 effect of working gas pressure on the optical properties of rf-pecvd a-sih films.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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气体压强对非晶硅薄膜光学特性的影响 effect of working gas pressure on the optical properties of rf-pecvd a-sih films.pdf

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气体压强对非晶硅薄膜光学特性的影响 effect of working gas pressure on the optical properties of rf-pecvd a-sih films

W电子·激光 of V01．19No．3Mar．2008 第19卷第3期2008年3月 Journal Optoelectronics·Laser 气体压强对非晶硅薄膜光学特性的影响* 李世彬，吴志明一，朱魁鹏，蒋亚东，李伟，廖乃镘 (电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054) 摘要：采用脬PEC、，D工艺在20～100Pa范围内改变a-Si：H薄膜沉积工作气体压强。傅立叶红外光谱仪 (FT取)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随丁作气体压强的变化情况，结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随工作气体压强变化规律。光谱式椭偏仪中用ForouhiBloomer(FB)模型拟合得到薄膜的折射率 (行)，消光系数(矗)，厚度及光学禁带最，并用扫描电镜(SEM)断面分析对椭偏仪测试结果的准确性进行验证。根据Taue公式推出薄膜的光学禁带宽Eg和截止波长，并和FB模型得到结果进行了比较，最(网和乓(1hc)的差值在11meV内。原子力显微镜(㈣和X射线衍射(Ⅺ①)表征了工作气体压强对扩si：H薄膜微结构的影响。关键词：非晶硅；工作压强；沉积速率；光学禁带宽度中图分类号：0484．1文献标识码：A文章编号：l005一0086(2008)03—0352—05 Effectof onthe ofRF-PECVDfilms workinggaspressureopticalproperties a-Si：H LI Nai-man Shi-bin，WU Ya-dong，LIWei，LIAO Zhi-ming一，ZHUKui—peng，JIANG of of ThinFilms (SchoolOptoelectronieInformation，StateLaboratoryElectronic and Devices，Uni Key Integrated ofElectronicScienceand ofChina 610054，China) versity TechnologyChengdu siliconfilmswere enhancedchemical Ahib耐：Hydrogenatedamorphous grownbyplasma vapordeposition(PECVD)and the of variedfrom20 to100 working Pa Pa．FoufierTransformInfraredSpectrometer(FnR)WSS gaspressuresamples usedtocharacterizetheinfrared featureoffilms onKBr offilmsin- spectral depositedsubstrate．Thecontent was hydrogen fluenced