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Ch05IC有源元件和工艺流程
集成电路设计基础;第五章 IC有源元件与工艺流程;第五章 IC有源元件与工艺流程 ;图5.1 几种IC工艺速度功耗区位图;5.2 双极性硅工艺 ;5.2 双极性硅工艺;5.3 HBT工艺;5.4 MESFET和HEMT工艺 ;GaAs工艺：HEMT;GaAs工艺：HEMT工艺的三明治结构;Main Parameters of the 0.3 mm Gate Length HEMTs;与Si三极管相比，MESFET和HEMT的缺点为:
跨导相对低;
阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形状和掺杂程度；
驱动电流小
由于跨导大，在整个晶圆上，BJT的阈值电压变化只有几毫伏，而MESFET，HEMT要高十倍多。 ;5.5 MOS工艺和相关的VLSI工艺;图5.7 MOS工艺的分类 ;认识MOSFET;MOS工艺的特征尺寸 (Feature Size);5.6 PMOS工艺 5.6.1 早期的铝栅工艺;铝栅PMOS工艺特点：;Al栅MOS工艺缺点;Al栅MOS工艺的栅极位错问题;5.6.2 铝栅重叠设计;铝栅重叠设计的缺点;克服Al栅MOS工艺缺点的根本方法;5.6.3 自对准技术与标准硅工艺;标准硅栅PMOS工艺;??栅工艺的优点：;5.7 NMOS工艺;5.7.1 了解NMOS工艺的意义;5.7.2 增强型和耗尽性MOSFET (Enhancement mode and depletion mode MOSFET);E-/D-NMOS和E-PMOS的电路符号;E-NMOS的结构示意图 (增强型VD=0V, Vgs=Vsb=0V) ;D-NMOS的结构示意图 (耗尽型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V);E-PMOS的结构示意图 (增强型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V);5.7.3 E-NMOS工作原理图;E-NMOS工作原理图;E-NMOS工作原理图;5.7.4 NMOS 工艺流程;表5.3 NMOS的掩膜和典型工艺流程;图5.17 NMOS反相器电路图和芯片剖面示意图;5.8 CMOS工艺;5.8.1 1?Poly-, P阱CMOS工艺流程;表5.4 一层多晶硅,一层金属, n型衬底CMOS的掩膜和典型工艺流程;5.8.2 典型1P2M n阱CMOS工艺主要步骤;CMOS反相器电路图和芯片剖面示意图;CMOS的主要优点是集成密度高而功耗低，工作频率随着工艺技术的改进已接近TTL电路，但驱动能力尚不如双极型器件，所以近来又出现了在IC内部逻辑部分采用CMOS技术，而I/O缓冲及驱动部分使用双极型技术的一种称为BiCMOS的工艺技术。;BiCMOS工艺的特点就是在CMOS工艺的基础上加入双极性器件的特殊的工序;BiCMOS工艺下NPN 晶体管的俯视图 和剖面图
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