第十三届全国MOCVD学术会议第二轮会议通知-物理科学与技术学院.PDFVIP

第十三届全国 MOCVD 学术会议    第二轮会议通知    2014 年 5 月 6~9 日，扬州经济技术开发区   网址 http://www.MOCVD13. 主办单位：中国有色金属学会 承办单位：北京大学 国家半导体照明工程研发及产业联盟 （CSA ） 中国电子科技集团第五十五研究所 协办单位：扬州经济技术开发区 南京大学 扬州大学 江苏省半导体照明产业技术创新战略联盟 会议简介： 金属有机化学气相淀积（MOCVD ）技术自上世纪六十年代提出以来，取得了飞速 进步，目前已经在氮化物、砷化物、磷化物、碲化物和氧化物等重要半导体材料及其量 子结构的制备上得到广泛应用，极大地推动了光电子器件和电子器件的发展和产业化， 也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术。未来 MOCVD 技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。 作为 MOCVD 生长技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，自 1989 年第一 届会议举办以来，“全国 MOCVD 学术会议” 已经成功举办了十二届，规模和影响越来越 大，已成为全国学术界和产业界广泛关注的学术盛会。本次会议选择在“烟花三月下扬 州”的美好春色中在古城扬州举行，来自大陆和台港地区的与会学者、工程师和企业家 将在 MOCVD 生长技术、MOCVD 设备研发、材料结构与物性、以及光电子和电子器件 研发等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。这次会议必将对我国 MOCVD 学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。 会议主要日程： 5 月 6 日下午 报到 5 月 7 日上午 开幕式和大会邀请报告， 5 月 7 日下午-8 日上午 分会报告和交流 5 月 8 日下午 大会邀请报告和闭幕式   1 5 月 9 日 参观考察及返程 会议征文内容： 1．外延生长机理和生长动力学 2 ．外延结构与物性 3 ．光电子材料与器件 4 ．电子材料与器件 5 ．其他材料与器件 6 ．封装技术及封装材料 7 ．设备研制与开发 8．衬底、MO 源、高纯气体等基础材料 会议征文要求： 1．符合上述内容的论文摘要； 2 ．论文摘要主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法 定计量单位； 3 ．论文摘要以WORD 文档形式准备，包含标题、作者及其单位地址、正文、参考 文献等在内不超过一页 A4 纸，相关模板可登录 下 载，于2014 年 3 月 15 日前通过电子邮件方式提交给会议组委会秘书组（mocvd13 @ ）。 4 ．所有论文摘要将编入会议文集。 已确定的大会邀请报告： 郑有炓 (南京大学) ： 第三代半导体材料面临的发展机遇与挑战 郝 跃 (西安电子科大) ： 氮化物半导体电子材料和器件新进展 王立军 (长春光机所) ： 高功率半导体激光器研究现状与发展 李晋闽 (半导体所) ： 高效节能的半导体照明工程和 MOCVD 装备国产化机遇 张 荣 ( 山东大学) ： 宽禁带半导体紫外光电探测器研究 杨 辉 (苏州纳米所) ： GaN 基蓝光和绿光激光器研究必威体育精装版进展 王向武 (乾照光电公司)：   中国高效半导体太阳能电池研究进展 郭浩中 ( 台湾交通大学) ： 高光效 LED Droop 效应研究的必威体育精装版进展 陈 敬 (香港科技大学) ：Si 基 GaN 异质结功率电子器件的技术挑战 孙文红 (美国 SET 公司) ：AlGaN 深紫外 LED 研究及