自组装InGaNGaN量子点的研究进展.pdfVIP

《半导体光电》2002 年第 23 卷第 2 期 李嘉炜 等 : 　自组装 InGaN/ GaN 量子点的研究进展 动态综述 自组装 In Ga N/ Ga N 量子点的研究进展 李嘉炜 , 叶志镇 , Nasser N M ( 浙江大学 硅材料国家重点实验室 ,浙江 杭州 310027) 摘 　要 : 　GaN 基量子点的生长及其特性已成为目前 Ⅲ Ⅴ族半导体研究的热点。由于其较强 的量子效应 ,量子点结构的光电器件有望获得比量子阱器件更优异的性能。总结了 InGaN/ GaN 量 子点的必威体育精装版研究进展 ,从生长模式、发光特性和制造工艺三个方面对 InGaN/ GaN 量子点做了较详 细的介绍 ,并对其在半导体器件的具体应用前景上提出了合理的设想。 关键词 : 　InGaN ; 量子点 ; 生长模式 ; 发光特性 ; 制造工艺 ( ) 中图分类号: TN304. 23 　　文献标识码 : A 　　文章编号 : 1001 - 5868 2002 02 - 0077 - 04 Research Advances in Selfassemble In Ga N/ Ga N QDs LI Jiawei , YE Zhizhen , Nasser N M ( State Key Lab. of Silicon Materials , Zhejiang University , Hangzhou 310027 , CHN) Abstract : 　The growth and characteristics of GaNbased QDs have been the focus of the research on Ⅲ Ⅴsemiconductors. Because of strong quantum effects ,the devices with QD structure are expected to have superior photoelectric performances to those of MQWs. The latest progress in the research of InGaN/ GaN QDs is summarized. The detailed introduction is given from three aspects including growth mode ,optical properties and fabrication of QDs. Some suggestions about the impact of InGaN/ GaN QDs on semiconductor devices are put forward. Key words : 　InGaN ; QDs ; growth mode ; optical properties ; fabrication 1 　引言 而产生的较强的载流子局域态是出现上述现象的根 本原因[6 ] 。实际上 ,多年前曾有人提出量子点的引 ( ) GaN 基量子阱 QW 由于其在短波发射器件有 入可以在有大量缺陷的基体中获得较高的量子效 [1～4 ] 源区中的成功应用 , 目前正受到越来越广泛的