亚65 nm及以下节点的光刻技术 lithography technology for sub-65 nm nodes and beyond.pdfVIP

趋势燃穸0训O吐啦dn蛳W■l 亚65nm及以下节点的光刻技术 徐晓东，汪辉 (上海交通大学微电子学院，上海200240) nm和45 摘要：由于193nm浸入式光刻技术的迅速发展，它被业界广泛认为是65 nm节点首 选光刻技术。配合双重曝光技术，193nm浸入式光刺技术还可能扩展到32nm节点，但是光刺成 本会成倍增长，成品率会下降。随着AsML在2006年推出全球第一款Euv曝光设备，人们纷纷 看好Euv技术应用到32nm蕊以下节点。但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22nm 节点，电子束直写是最可行，成本最低的候选方案，业界将在它与Euv技术之间做出抉择。 关键词：亚65nm；浸入式光刻；极紫外线；电子束直写；分辨率增强技术 文献标识码：A 中图分类号：TN305．7 forSub-65砌Nod髓and LithographyTech肿logy Beyond XU Hui Xia0一dong，WANG (＆酬旷肋础曲池，‰r咖f胁％昭“抽1啊．‰哪面200340．C‰) is f．璐tchoioe to65衄and Abstran：193啪imⅡ砖硌ion liIho卿hywidely北c8pted舶lllefor学ettirlg 45nm withd叫hIe beevenextendedto32nmnode耐tlltlIe。啷t nodes．Combiningexp∞ure，it删d ASML EuVde咖t00lin IC inc陀船iIlg粕d豇elddec弛孵i119．Afkrdevel叩ed妇矗珥t 2006，Ⅱ脚t m衄u胁tod髓beHevemat 32砌蚰dmn h以lfac骼a EUvl曲。卿hy耐Ⅱbeimroducedint0beyond’but h0ftechnic日l舭d eco肿Inical mo时fe船ibk蚰d chall8Ilges．F0r22衄node，E—be姗diTect俪dllgiethe tlIe will删止eadecisionbetweenit舳dEUV． le嘣既Per西ve，跚dindushy direct K叮words；机Jb一65nm；h啪粥i蚰mo鲫phy；EUv；E-beamw血吨；RET(弛solution etll】∞cemem technology) 45和32 nm节点的193nm浸入式光刻技术，对比 1 引言 分析22nm节点的四种候选光刻技术。 随着特征尺寸的不断缩小，光刻工艺