微电子制造中ti的湿法蚀刻 wet etching of ti in the microelectronic manufacture.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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微电子制造中ti的湿法蚀刻 wet etching of ti in the microelectronic manufacture

工艺技术与材料微电子制造中Ti的湿法蚀刻陈丹1，沈卓身1，任忠平2 (1．北京科技大学材料科学与工程学院，北京100083； 2．宁波东盛集成电路元件有限公司，浙江宁波315800) 摘要：综述了微电子制造工艺中Ti的湿法蚀刻的发展过程，指出了传统Ti蚀刻液的缺点；介绍了必威体育精装版研究改良后的多种Ti蚀刻液配方和化学药品、废气、废液对人员环境的影响。关键词：湿法蚀刻；钛；微电子制造中图分类号：TN305．2文献标识码：A Wet ofTiintheMicroelectrollicMaIlufj躯ture Etching cHEN REN Danl，sHENzhuo—shenl，zhong—pin孑 (1．b02o，肘眦er泓Sc据，W o以E，画，W^愕，邪四，＆彬昭100083，醌iM； 315800，饥i∞) 2．M咖oDo，够kng陀E跆批眦co．删．，M，皤6D Abstr乏吣t：The ofwet 0fTiinIIlicmelectmnicmaIlufactur}ewasreViewed．Somede- deVelopmentetching Ti forTi re- fectsofthetmditionaletchaIltfor w℃re out．Severalkindsof etchantsresearched figured improved were theef玷cts“cheIIlicalthewaste the onthe anden— cently introduced， reagents， gas釉d1iquid persons vironmentwere out． pointed words： Ti； lIlicroelectronicmanufacture Key etching；在Au与其他表面(如陶瓷、塑料)的结合时是 1 引言一个非常好的粘结层。某些含Ti合金也是芯片制金属Ti作为一种过渡族金属，其微观的电子造中经常用到的阻挡层材料，含有lO％～15％Ti 层结构决定了它的基本性质…，与贵金属以及金的合金能够在Au与Al之间起到良好的扩散阻挡作用[6|。属Al，cu，Mg合金等材料相比，金属Ti的电导率和热导率都很低(Ti的热导率和电阻率分别为在微电子产品制作过程中，所需图形之间是 17w／m．I∥20℃和42．O×10一6Q．cIn／20cC)[2I。但相互分割开的，且尺寸很小，不适合用传统的机是Ti具有其他优秀的性质，如优良的耐蚀性、与械加工方法，需要进行蚀刻。蚀刻的方式有两种：各种薄膜层稳固的粘接能力等。在微电子制造中湿法蚀刻和干法蚀刻。在不同的条件和工艺要求 Ti常用来作为辅助薄膜金属化的材料∞圳，主要下，