微波gaas功率芯片的低空洞率真空焊接技术研究 studies of low voidage vacuum welding technology of the power chip.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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微波gaas功率芯片的低空洞率真空焊接技术研究 studies of low voidage vacuum welding technology of the power chip

第8卷。第6期电子与封装总第62期 V01．8．No．6 2008年6月 ELECTRONICSPACKAGING i影7羲，’≮组，。。獒，毫jIl，墨j 微波GaAs功率芯片的低空洞率真空焊接技术研究李孝轩，胡永芳，禹胜林，严伟，徐骏善 (南京电子技术研究所，南京210013) 摘要：文章选用80Au20Sn焊料对微波GaAs功率芯片的焊接技术进行了较为系统深入的研究，通过对共晶焊接设备与真空烧结设备分别对焊接时气体保护、焊片大小、真空工艺过程的施加和夹具设计等因素进行了试验分析。结果表明，以上参数对微波GaAs功率芯片焊接均有显著的影响，在保护气体流量为1．5L·min。的氮气保护下，通过施加适当的夹具静压力和金锡焊料熔化时的抽真空应用， AuSn焊料能够充分和快速润湿，实现较高的焊接质量。X射线检测结果表明，微波GaAs功率芯片焊接具有较低的空洞率，焊透率高达90％以上，焊接过程主要通过夹具装配完成，人为影响因素少，成品率高。关键词：功率芯片；共晶焊接；空洞率；真空中图分类号：TN305 文献标识码：A StudiesofLow Vacuum ofthePower Voidage WeldingTechnology Chip Jun—shan LIXiao-xuan，HU Wei，XU Yong-fang，YUSheng—lin，YAN ResearchInstitute (Nanjing ofElectronicsTechnology，Nanjing210013，China) Abstract：Inthis ofmicro-waveGaAs was witll paper,theweldingtechnology powerchip investigateddeeply 80Au20Sn．The suchas size，vacuum and nitrogenatmosphere，soldertechnologyclamp processparameters were eutectic andvacuum furnace．Itisshowenthataboveall designexperimated sinteing by welding paramaters affectthe ofmicro-waveGaAs thefluxcontrolis solder welding powerchipobviously．Under 1．5L／rain，AuSn and with andvacuum result Canwet and achieve quicklysufficiently goodweldingforcing applying．X—ray indiciatesthatGaAs haslow lessthan10％．The isa