退火对fesi结构原子间互扩散及显微结构的影响 effects of annealing on atomic interdiffusion and microstructures in fesi systems.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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退火对fesi结构原子间互扩散及显微结构的影响 effects of annealing on atomic interdiffusion and microstructures in fesi systems.pdf

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退火对fesi结构原子间互扩散及显微结构的影响 effects of annealing on atomic interdiffusion and microstructures in fesi systems

第28卷第12期半导体学报 v01．28No．12 2007年12月 CHINESEJOURNALoFSEMICONDUCTORS Dec，，2007 Effectsof onAtomicInterdiffusionand Annealing in Microstructures Fe／Si Systems’ Tian Jinmin’，Xie Hua Zhang Quart，ZengWuxian，LiangYan，ZhangY0ng，YuPing，and Scienceand Electronic 550025，China) (Collegeof InformationTechnology，GuizhouUniversity，Guiyang Fe of DC Abstract；Puremetalfilmswiththicknessabout100nmwere onSi(100)substratesby deposited magne- in inthe of600～ tron was avacuumfurnace sputtering。Annealingsubsequentlyperformed temperaturerange 1000℃for2h．The werecharacterizedmeansofRutherford 3MeVcarbon samples by backscattering(RBS)with interdiffusion ions．TheRBSdatawerefittedwithSIMNRA6．0。andtheresultsshowtheatomic inFe／Si systems． T娩microstructuresand structureswerecharacterizedelectron and diffrac— crystal byscanning microscopeX-ray microstructures tion．Theeffectsof onatomicinterdiffusion，silicideformatiofl，and inF毫／Si annealing