退火对n离子注入znoal薄膜性能的影响 effects of annealing on properties of n-implanted zno al thin films by sol-gel technique.pdfVIP

下载本文档

2
0
约2.26万字
约 5页
2017-08-18 发布于上海
举报
版权申诉

退火对n离子注入znoal薄膜性能的影响 effects of annealing on properties of n-implanted zno al thin films by sol-gel technique.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

退火对n离子注入znoal薄膜性能的影响 effects of annealing on properties of n-implanted zno al thin films by sol-gel technique

■ SEMICONDUCTOROPTOELECTRONICSV01．29No．2 Apr．2008 Al薄膜性能的影响退火对N离子注入ZnO 9 霞袁兆林祖小涛1’2，薛书文1，邓宏3，毛飞燕3，向 (1．电子科技大学物理电子学院．四川成都610054；2．中国科学院国际材料物理中心。辽宁沈阳110015； 3．电子科技大学微电子与固体电子学院。四川成都610054) 摘要：膜，将能量56keV、剂量1×1017 ions／cm2的N离子注入到薄膜中。离子注入后，样品在500～900 ℃氮气气氛中退火，利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、透射谱和四探针研究了退火温度对薄膜性能的影响。结果显示，在800℃以下退火，随退火温度提高，薄膜结晶性能逐渐变好；在600 ℃以上退火，随退火温度提高，紫外近带边发光峰(NBE)和缺陷相关的深能级可见光发光带都逐渐增强；600℃退火时，样品的电阻率仅为83Q·am。关键词：溶胶一凝胶法；离子注入；退火，光致发光；电阻率中图分类号：0484．4 Effectsof on of ZnO：AIThinFilms AnnealingPropertiesN-implanted bySol—gelTechnique YUANZhao-linl，ZUXiao-ta01”，XUE Xial Shu—wenl，DENGHon93，MAO Fei—yan3，XIANG of ofElectronicScienceand of (1．School TechnologyChina，Chengdu610054，CHN； PhysicalElectronics，University CenterforMaterial of 3．scl●∞10fMkroeleeU删aies 2．International Physics，Chinese 110015，CI-IN1 AcademyScknces，Shenyang andSolid-State ofElectronicScienceand of Technology 610054。CHN) Electronics，University China。Chengdu ZnO：Althinfilms with on Abstract： 1％aluminum(Al／Zn=1％)were doped deposited substrates ionsofdoseions／cm2were at56keV (0001)A1203bysol—geltechnique，N