体硅ldmos漂移区杂质分段线性注入模型研究 analytical model for the piecewise linearly graded doping drift region in ldmos.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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体硅ldmos漂移区杂质分段线性注入模型研究 analytical model for the piecewise linearly graded doping drift region in ldmos.pdf

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体硅ldmos漂移区杂质分段线性注入模型研究 analytical model for the piecewise linearly graded doping drift region in ldmos

第27卷第6期半导体学报 v01．27No．6 2006年6月 CHINESEJoURNALoFSEMICoNDUCToRS June，2006 the ModelfOr Piecewise Graded Analytical Linearly Drift inLDMoS。 DopingRegion Sun Shi Shengli，andLongxing Weifeng+，YiYangbo，Lu (^kffD，I矗f 210096，C_llfnⅡ) A盯C跏把mJE增fnee，f愕RB始n，c忍＆n把r，勋甜fh阳甜uⅢve捌fy，^k可f甥 novel2D modelforthe ofthebulksmconRESURFLDMOSdrift is Abstract：A analytical dopingprofile fe西on re· tothe model，toobtain inthetotaldrift performance，theprofile proposed．Accordingproposed good doping ofa afield shouldbe breakdownofthe gion RESURFLDMoSwith plate piecewiselinearlygraded．The voltage RESURFLDMoSwitha drift is 58．8％，andthe proposed piecewiselinearlygradeddopingregionimproVedby the on．resistanceisreduced withconventionalLDMoS．Theseresultsareverified specific bV87．4％cOmpared by thedevicesimulatorMedici． two．dimensionalprocesssimulatorTsuprem．4and drift Keywds：breakdOwn on-resistance；piecewiselinearlygradeddopingregion voltage；specific EEACC：2560 CLC Document ArticIe number：TN710 e