CaCu3Ti4O12陶瓷的巨介电响应机理-中国有色金属学报.PDFVIP

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CaCu3Ti4O12陶瓷的巨介电响应机理-中国有色金属学报

第 21 卷第 3 期 中国有色金属学报  2011 年 3 月  Vol.21 No.3  The Chinese Journal of Nonferrous Metals  Mar. 2011  文章编号:1004­0609(2011)03­0630­06  CaCu Ti O 陶瓷的巨介电响应机理 3 4 12  郑兴华, 张 程, 刘 馨, 汤德平, 肖 娟  (福州大学 材料科学与工程学院,福州  350108)  摘 要:针对 CaCu Ti O (CCTO)陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量 MnO 取代 CCTO 中CuO 或  3 4 12  2  TiO 、采用固相反应法烧结制备名义成分为 CaCu Mn Ti O (x 0~0.3)和 CaCu Ti Mn O (y 0~0.1)的陶瓷。通 2 3−x x 4 12  3 4−y y 12  过微结构和电性能的演变讨论 CCTO 陶瓷的巨介电响应机理。结果表明:加入少量 MnO 后,所有陶瓷均为体心 2  立方(BCC)类钙钛矿结构的 CCTO 单相;但是,CCTO 陶瓷显微结构从异常长大的晶粒转变成均匀的细小晶粒; 7  9  4  2  −1  同时,CCTO 陶瓷的电阻率从 10 Ω∙cm 显著提高到 10  Ω∙cm;介电常数从 10 显著下降到 10 ;介电损耗从 10  −3  急剧降低到  10  ;CCTO  陶瓷的巨介电响应是由半导体化的晶界/亚晶界和相对绝缘的晶粒/亚晶粒组成的内部阻 挡层电容器(IBLC)所致。在较低温度下(<1 100  ℃)烧结获得高介电常数、低损耗和温度稳定的 CCTO 基陶瓷, 找到一种降低CCTO 陶瓷介电损耗的有效方法。 关键词:CaCu Ti O 陶瓷;巨介电常数;内部阻挡层电容器(IBLC);低介电损耗 3 4 12  中图分类号:TB34  文献标志码:A  Mechanism ofgiant dielectric response of CaCu Ti O ceramics  3 4 12  ZHENG Xing­hua, ZHANG Cheng, LIU Xin, TANG De­ping, XI

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