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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 各存储器的用途 存储器 应用 SRAM DRAM ROM PROM EPROM E2PROM Flash Memory Cache 计算机主存 固定程序，微程序控制器 用户自编程序，工业控制机或电器 用户编写并可修改程序，产品试制阶段程序 IC卡上存储器 固态盘、IC卡 非易失性读写存储器发展趋势 多级电平存储器 电阻转变存储器 RRAM 铁电存储器 FRAM 磁阻存储器 MRAM 相变存储器 PCRAM 5.5.6 DRAM的研制与发展（1） 1. 增强型DRAM（EDRAM） 增强型DRAM（EDRAM）改进了CMOS制造工艺，使晶体管开关加速，其结果使EDRAM的存取时间和周期时间比普通DRAM减少一半，而且在EDRAM芯片中还集成了小容量SRAM cache。 2. Cache DRAM（CDRAM） 其原理与EDRAM相似，其主要差别是SRAM cache的容量较大，且与真正的cache原理相同。在存储器直接连接处理器的系统中，cache DRAM可取代第二级cache和主存储器（第一级cache在处理器芯片中）。CDRAM还可用作缓冲器支持数据块的串行传送。 3. EDO DRAM（EDRAM） 扩充数据输出（extended data out，简称EDO），它在完成当前内存周期前即可开始下一周期的操作，因此能提高数据带宽或传输率。 4. 同步 DRAM（SDRAM） 典型的DRAM是异步工作的，CPU送地址和控制信号之后，等待存储器的内部操作完成，此时CPU不能做别的。 SDRAM与CPU之间的数据传输是同步的，CPU送出地址和控制信号后，经过已知数量的时钟后，SDRAM完成内部操作，此期间，CPU可以做其他的工作，而不必等待。 5. Rambus DRAM（RDRAM） Rambus公司研制，着重提高存储器频率带宽。 RDRAM与CPU之间通过专用的RDRAM总线传送数据，而不是常用的RAS、CAS、WE、CE信号。 采用异步成组数据传输协议，开始时需要较大的存取时间（例如48ns），以后可达500MB/s的传输速率。 Rambus得到Intel公司的支持，其高档的Pentium III 处理器将采用Rambus DRAM结构。 6. 集成随机存储器（IRAM） 将整个DRAM系统集成在一个芯片内，包括存储单元阵列、刷新逻辑、裁决逻辑、地址分时、控制逻辑及时序等。片内还附加有测试电路。 7. ASIC RAM 根据用户需求而设计的专用存储器芯片，它以RAM为中心，并结合其他逻辑功能电路。 例如，视频存储器（video memory）是显示专用存储器，它接收外界送来的图像信息，然后向系统提供高速串行信息。 5.5.7 半导体存储器的组成与控制 半导体存储器的读写时间一般在十几至几百毫微秒之间，其芯片集成度高，体积小，片内还包含有译码器和寄存器等电路。 常用的半导体存储器芯片有多字一位片和多字多位（4位、8位）片，如16M位容量的芯片可以有16M×1位和4M×4位等种类。 1. 存储器容量扩展（1） 1个存储器的芯片的容量是有限的，它在字数或字长方面与实际存储器的要求都有很大差距，所以需要在字向和位向进行扩充才能满足需要。 （1）位扩展 位扩展指的是用多个存储器器件对字长进行扩充。 位扩展的连接方式是将多片存储器的地址、片选、读写控制端R／W可相应并联，数据端分别引出。 （1）位扩展（1） A0～A13 CS 16K×4 R/W D0～D3 A0～A13 CS 16K×4 R/W D0～D3 D0～D3 D4～D7 D0～D7 R/W CS A0～A13 （1）位扩展（2） 位扩展： 1）地址的总位数不变，总存储器字容量不变。 例如，芯片的地址线是A0～A13，存储器的地址总线还是A0～A13 。 2）数据线的位数增加，增加的数量等于各芯片位数之和。 例如，共两个芯片，每个芯片4位，总存储器的数据总线是8位。 ※ 相当于要增加一个大楼的总人数，可以增加房间内可居住的人数，而没有增加房间的数量。 1. 存储器容量扩展 （2） （2）字扩展 字扩展指的是增加存储器中字的数量。 静态存储器进行字扩展时，将各芯片的地址线、数据线、读写控制线相应并联，而由片选信号来区分各芯片的地址范围。 （2）