黄光微影制程技术.PDF

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2017-08-23 发布于天津
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黄光微影制程技术

黃光微影製程技術 Photolithography Process Photolithography Process 1. Photo-Resist (PR) Coating - Pre-clean(150℃/2min OR 150℃/30min) - 去水烘烤(Dehydration Bake) / Cooling - Priming (HMDS) / Cooling - PR Coating - Pre-bake (Soft-bake) (90℃/1.5min OR 90℃/30min) / Cooling 2. Exposure - exposed by aligner, stepper or scanner - Post Exposure Bake (PEB) 3. Developing - develop - After Developing Inspection (ADI) - hard bake (120℃/2min OR 120℃/30min) Photo-Resist (PR) Coating Dehydration Bake Purpose : Prevent poor PR adhesion to the substrate due to the hydrated surface R H R H R R HO Si O O Si O O H O H O Si O Si O H H H O H H 2 H H H O O O O H O O O O Si Si Si Si Si Si Si Si Method : Hot plate, Oven Photo-Resist (PR) Coating Priming (HMDS) Purpose : To change the surface property from hydrophilic to hydrophobic (used for Si-based layer) - Hexamethyldisilizane (HMDS) (CH ) -Si-NH-Si-(CH ) + 2H O 3 3 3 3 2 2(CH ) -SiOH + NH 3 3 3 Process Relativity : PR adhesion if insufficient, Poor coating uniformity around the edge if too much