负电荷层对a鄄IGZOTFT阈值电压的影响-发光学报.PDF

第36卷摇 第11期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾36 No郾11 2015年11月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Nov. ,2015 文章编号:1000鄄7032(2015)11鄄1320鄄05 负电荷层对 a鄄IGZO TFT阈值电压的影响 * 丁摇 磊 ,张方辉 (陕西科技大学 理学院,陕西 西安摇 710021) 摘要:采用脉冲直流磁控溅射的方式沉积In鄄Ga鄄Zn鄄O (IGZO)膜层作为TFT 的有源层。 在TFT沟道处的有 源层和绝缘层的界面上,通过溅射法制作一定厚度的负电荷层对阈值电压(V )进行调制,使得 V 由-3.8 V th th 升高至-0.3 V,器件由耗尽型向增强型转变。 通过增加Al O 作为负电荷层,可有效地将 V 控制在0 V 附 2 3 th 9 近,并且提高其器件稳定性,得到较好的电学特性:电流开关比I / I 10 ,亚阈值摆幅SS 为0.2 V/ dec,阈 on off 2 值电压 V 为-0.3 V,迁移率滋 为9.2 cm / (V ·s)。 th 关摇 键摇 词:a鄄IGZO薄膜晶体管;磁控溅射法;负电荷层;平带电势;阈值电压 中图分类号:TN304摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx1320 Effects of Negative Charge Layer on The Threshold Voltage of a鄄IGZO TFT * DING Lei ,ZHANG Fang鄄hui (College of Science,Shaanxi University of Science and Technology,Xi爷an710021,China) *Corresponding Author,E鄄mail:dinglei@ Abstract:TFT device with In鄄Ga鄄Zn鄄O (IGZO) film as the active layer deposited by pulse DC sputtering wasfabricated. AnAl O filmwhichwasalso depositedby sputteringwassandwichedbe鄄 2 3 tween theactivel