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数电各章习题全解第6章 习题作业课件
第6章 半导体存储器与可编程逻辑器件
习题;习题与思考题;题6.3 试说明SRAM和DRAM存储原理有何不同?;题6.6 试用512×4的RAM芯片构成512?8的存储器。;题6.7 试用256×4的RAM芯片构成1024?4的存储器。需要一个
怎样规格的二进制译码器?;题6.8 试说明Flash ROM有何特点和用途,与其他存储器比
较有什么不同?;【附加】32位地址,16位并行数据线。求最大存储容量。;ENTITY mycounter6 IS PORT( --实体定义部分
clk, RDn, LDn, EP: IN Bit; --定义时钟、清零、置数和保持输入端
DataIn: IN integer range 0 to 5; --定义数据输入端
c: OUT Bit; --定义进位输出端
qc: OUT Integer range 0 to 5); --定义状态输出端
END mycounter6;;--结构体定义部分
ARCHITECTURE a OF mycounter6 IS
BEGIN
PROCESS (clk, RDn)
Variable cnt : Integer range 0 to 5; --定义变???,更灵活
Variable co : Bit;
BEGIN
IF (RDn=‘0’) THEN cnt:= 0; co:=‘0’; --异步清零,低电平有效
ELSIF (clk‘EVENT AND clk = ’1‘) THEN --上升沿有效
IF (LDn=‘0’) THEN cnt:=DataIn; --同步置数
ELSIF ( EP/=‘0’) THEN --状态保持
IF cnt5 THEN cnt:=cnt+1; ELSE cnt :=0 ; END IF; --计数
IF cnt=5 THEN co:=‘1’; ELSE co:=‘0’; END IF; --进位
END IF;
END IF;
qc=cnt; --输出赋值
c=co;
END PROCESS;
END a;;题6.10仿真图
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