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按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型？ 小规模集成电路 (SSI)、中规模集成电路 (MSI)、大规模集成电路 (LSI)、超大规模集成电路 (VLSI)、特大规模集成电路 (ULSI)、巨大规模集成电路 (GSI）。 按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ BJT型、MOS型、Bi-CMOS型 按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 数字集成电路、模拟集成电路、数模混合集成电路 电离后向半导体提供空穴的杂质是受主杂质，电离后向半导体提供电子的杂质是施主杂质。 由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是扩散电流，由于载流子在一定电场力的作用下而产生电流是漂移电流。 在热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为100%，如果温度大于热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为大于50%。 费米分布函数适用于简并的电子系统，波耳兹曼分布函数适用于非简并的电子系统。 热平衡状态下，无论本征半导体还是杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由温度和禁带宽度决定。 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平衡载流子的寿命为τ。若光照忽然停止，经过τ时间后，非平衡载流子衰减为原来的1/e。 在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，半导体的热平衡状态被打破，将没有统一的费米能级，但导带和价带处于各自的平衡态，因此存在导带费米能级和价带费米能级，称其为“准费米能级”。 能带图 电导率与电阻率 本征半导体：， 一般半导体：， N型半导体：， P型半导体：， 四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ ①减小寄生pnp管的影响；②减小集电极串联电阻。 简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ N+隐埋层扩散孔光刻→P隔离扩散孔光刻→P型基区扩散孔光刻→N+发射区扩散孔光刻→引线孔光刻→反刻铝 特征尺寸（ Critical Dimension,CD）的概念 特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸，是衡量工艺难度的标志，代表集成电路的工艺水平。①在CMOS技术中，特征尺寸通常指MOS管的沟道长度，也指多晶硅栅的线宽。②在双极技术中，特征尺寸通常指接触孔的尺寸。 不同晶向的硅片，它的化学、电学、和机械性质都不同，这会影响最终的器件性能。例如迁移率，界面态等。MOS集成电路通常用（100）晶面或100晶向；双极集成电路通常用（111）晶面或111晶向。 硅热氧化的概念、氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。 氧化的概念：硅热氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反应，并在硅片表面生长氧化硅的过程。 氧化的工艺目的：在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片表面、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。 氧化方式及其化学反应式：①干氧氧化：Si＋O2 →SiO2 ②湿氧氧化：Si ＋ H2O ＋O2 → SiO2+H2 ③水汽氧化：Si ＋ H2O → SiO2 ＋ H2 硅的氧化温度：750 ℃ ～1100℃ SiO2在集成电路中的用途 ①栅氧层：做MOS结构的电介质层（热生长） ②场氧层：限制带电载流子的场区隔离（热生长或沉积） ③保护层：保护器件以免划伤和离子沾污（热生长） ④注入阻挡层：局部离子注入掺杂时，阻挡注入掺杂（热生长） ⑤垫氧层：减小氮化硅与硅之间应力（热生长） ⑥注入缓冲层：减小离子注入损伤及沟道效应（热生长） ⑦层间介质：用于导电金属之间的绝缘（沉积） 热生长氧化层与沉积氧化层的区别 ①结构及质量：热生长的比沉积的结构致密，质量好。 ②成膜温度：热生长的比沉积的温度高。可在400℃获得沉积氧化层，在第一层金属布线形成完进行，做为金属之间的层间介质和顶层钝化层。 ③硅消耗：热生长的消耗硅，沉积的不消耗硅。 杂质在硅中的扩散机制 ①间隙式扩散；②替位式扩散。 扩散杂质的余误差函数分布特点（恒定表面源扩散属于此分布） ①杂质表面浓度由该种杂质在扩散温度下的固溶度所决定。当扩散温度不变时，表面杂质浓度维持不变； ②扩散时间越长，扩散温度越高，则扩散进入硅片内的杂质总量就越多； ③扩散时间越长，扩散温度越高，杂质扩散得越深。 扩散杂质的高斯分布特点（有限源扩散属于此分布） ①在整个扩散过程中，杂质总量保持不变； ②扩散时间越长，扩散温度越高，则杂质扩散得越深，表面浓度越低； ③表面杂质浓度可控。 结深的定义 杂质扩散浓度分布曲线与衬底掺杂浓度曲线交点的位置称为结深。 离子注入的概念： 离子注入是在高真空的复杂系统中，产生电离杂质并形成高能量的离子束，入射到硅片靶中进行掺杂的过程。 离子注入工艺相对于热扩散工艺的优缺点： 优点：①精确地控制掺杂浓度和掺杂深度；②可以获得任意的杂质浓度分布；③杂质浓度均匀性、重复性好；④掺杂温度低；⑤沾污少；⑥无固溶度极限。 缺点：①高