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声表面波器件叉指换能器的制作技术徐海林
电子工程师 通 信 技 术 与 设 备 Vol .28N o.4 2002
The Making Technology of IDT
南京电子器件研究所 (南京 210016) 徐海林 陈培林
【 】 声表面波器件的制造关键在于如何制作叉指换能器,特别对于 GHz频 以
上的器件,亚微米线宽如何控制是声表器件能否制作成功的关键。 本文提供了其制作工艺流
程及要点。
:,,
【Abstract】 This paper provides some methods of how to make the IDT of the SA
device,especially for submicrometer linewidth.
Keywords: SAW device, IDT,technology
(IDT)、、
1 引 言
,、
(SA ) 。
,、、、 2. 1 导电膜的制备(Film De osition)
、。 。
, SA 。 , ,,,
2GHz, SA 。,
。 (± 1% )。
,, ,
, 5- 。
10GHz。 SA 。 ,
,; ,±5%。,
,, 。
。, TEMESCAL1800、 VES2550,
。 ± 1%
。
2 制作过程
, 1
。,
〔1〕
,、、、 ,,
。 。,
〔2〕
。 = / ( 、 ,
λ λ V f V
, 3000- 4000m /s,f 。 Al-2%
〔2〕
2
) ,, 1GHz, 1 Cu/Ti, SiO、 SiN、 AlN ,
。
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