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一种片上低触发电压高耐压荦犕犗犁犈犁犇防护结构-湖南大学学报
第 卷 第 期 湖 南 大 学 学 报 （自然 科 学 版 ） ， ４３ ２ Ｖｏｌ．４３Ｎｏ．２ 年 月 （ ） ２０１６ ２ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＨｕｎａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔ ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅｓ Ｆｅｂ．２０１６ ｙ 文章编号： （ ） １６７４２９７４２０１６０２０１１５０４ 一种片上低触发电压高耐压 犖犕犗犛犈犛犇防护结构设计 陈迪平 ，刘 杏，何 龙，陈思园 （湖南大学 物理与微电子科学学院，湖南 长沙 ４１００８２） 摘 要：设计了一种触发电压低于 ， 耐压超过 的低触发、高耐压 １０Ｖ ＨＢＭ ４ｋＶ 防护结构 通过带钳位的栅耦合 网络来适当抬升 泄放管栅压与衬底 ＮＭＯＳＥＳＤ ． ＲＣ ＥＳＤ 电压 在提高泄放能力与降低触发电压的同时，依然保持了较高的二次击穿电流 ，从而增 ． 犐 ｔ 强了 防护结构在深亚微米 电路 中的 防护能力 该结构最终在 ＭＯＳ ＣＭＯＳ ＥＳＤ ． ＣＳＭＣ ＨＪ０１８工艺流片，并通过ＴＬＰ测试平台测得触发电压低于１０Ｖ，二次击穿电流３．５Ａ，达到 设计要求． 关键词： ；衬底触发；栅耦合； ＥＳＤ ＴＬＰ 中图分类号： 文献标识码： ＴＮ４７ Ａ ＡｎＯｎｃｈｉＮＭＯＳＥＳＤＰｒｏｔｅｃｔｉｏｎＣｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈＬｏｗ ｐ Ｔｒｉ ｅｒＶｏｌｔａｅａｎｄＨｉｈＥＳＤＲｏｂｕｓｔｎｅｓｓ ｇｇ ｇ ｇ ， ， ， ＣＨＥＮＤｉｉｎ ＬＩＵＸｉｎ ＨＥＬｏｎ ＣＨＥＮＳｉｕａｎ ｐ ｇ ｇ ｇ ｙ （ ， ， ， ， ） Ｓｃｈｏｏ
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