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LPCVD氮化硅薄膜的制备工艺-厦门大学学报自然科学版
43 厦门大学学报( 自然科学版) Vol. 43 Sup. 2004 8 Journal of Xiamen University ( Natural Science) Au . 2004 : 0438-0479( 2004) S-362-03 LPCVD 1 1 2 冯海玉 , 黄元庆 , 冯勇健 ( 1. , 2. , 361005) ( Si N ) , MEMS . Si N : 3 4 3 4 CVD Si N , ( LPCVD) . 3 4 . : ; ; : T N 304. 2 : A + Si3N4 ( Na ) 1 Si N , , , , 3 4 [ 1] , . 1. 1 Si MEM S , Si 1 . [ 2] . , 50 e , Si N 3 4 ; , . 1 Fi . 1 Flow dia ram for standard cleanin , 40%( 220 V, 150 W; 40 kHz) . DI: ; : 2003-03-26 : ( 1977- ) , , . : LPCV D # 363 # , . , , 1. 2 LPCVD Si N . 3 4 ZM 481. 118SM ( 3) 9 : ¹ 5 e # LPCVD ( 2) . 1 , . º # # 1 4 , , # 3 . », . ( 4) ,
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